NXP Semiconductors
BC847BS
45 V, 100 mA NPN/NPN general-purpose transistor
600
h
FE
500
(1)
mgt727
0.20
I
C
(A)
0.15
006aab422
I
B
(mA) = 4.0
3.2
2.4
1.6
3.6
2.8
2.0
1.2
400
(2)
0.8
0.10
0.4
300
200
0.05
(3)
100
0
10
−1
1
10
10
2
I
C
(mA)
10
3
0
0
1
2
3
4
V
CE
(V)
5
V
CE
= 5 V
(1) T
amb
= 150
°C
(2) T
amb
= 25
°C
(3) T
amb
=
−55 °C
T
amb
= 25
°C
Fig 4.
Per transistor: DC current gain as a function of
collector current; typical values
mgt728
Fig 5.
Per transistor: Collector current as a function
of collector-emitter voltage; typical values
006aab423
1200
V
BE
(mV)
1000
(1)
1.2
V
BEsat
(V)
1.0
(1)
800
(2)
0.8
(2)
600
0.6
400
(3)
(3)
200
0.4
0
10
−2
10
−1
1
10
10
2
10
3
I
C
(mA)
0.2
10
−1
1
10
10
2
I
C
(mA)
10
3
V
CE
= 5 V
(1) T
amb
=
−55 °C
(2) T
amb
= 25
°C
(3) T
amb
= 150
°C
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
=
−55 °C
(2) T
amb
= 25
°C
(3) T
amb
= 150
°C
Fig 6.
Per transistor: Base-emitter voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 7.
Per transistor: Base-emitter saturation voltage
as a function of collector current; typical
values
BC847BS_3
© NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 03 — 18 February 2009
6 of 12
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
