NXP Semiconductors
BC817; BC817W; BC337
45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors
10
006aaa134
10
006aaa135
V
BEsat
(V)
V
BEsat
(V)
1
(1)
(2)
(3)
1
(1)
(2)
(3)
10
−1
10
−1
1
10
10
2
I
C
(mA)
10
3
10
−1
10
−1
1
10
10
2
I
C
(mA)
10
3
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
=
−55 °C
(2) T
amb
= 25
°C
(3) T
amb
= 150
°C
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
=
−55 °C
(2) T
amb
= 25
°C
(3) T
amb
= 150
°C
Fig 4.
Selection -16: Base-emitter saturation voltage
as a function of collector current; typical
values
10
Fig 5.
Selection -25: Base-emitter saturation voltage
as a function of collector current; typical
values
006aaa136
V
BEsat
(V)
1
(1)
(2)
(3)
10
−1
10
−1
1
10
10
2
I
C
(mA)
10
3
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
=
−55 °C
(2) T
amb
= 25
°C
(3) T
amb
= 150
°C
Fig 6.
Selection -40: Base-emitter saturation voltage as a function of collector current; typical values
BC817_BC817W_BC337_6
© NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 06 — 17 November 2009
7 of 19
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
