NXP Semiconductors
BC817; BC817W; BC337
45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors
1
006aaa137
1
V
CEsat
(V)
10
−1
006aaa138
V
CEsat
(V)
10
−1
(1)
10
−2
(2)
(3)
(1) (2)
(3)
10
−2
10
−1
1
10
10
2
I
C
(mA)
10
3
10
−3
10
−1
1
10
10
2
I
C
(mA)
10
3
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= 150
°C
(2) T
amb
= 25
°C
(3) T
amb
=
−55 °C
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= 150
°C
(2) T
amb
= 25
°C
(3) T
amb
=
−55 °C
Fig 7.
Selection -16: Collector-emitter saturation
voltage as a function of collector current;
typical values
1
V
CEsat
(V)
10
−1
Fig 8.
Selection -25: Collector-emitter saturation
voltage as a function of collector current;
typical values
006aaa139
(1)
10
−2
(2)
(3)
10
−3
10
−1
1
10
10
2
I
C
(mA)
10
3
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= 150
°C
(2) T
amb
= 25
°C
(3) T
amb
=
−55 °C
Fig 9.
Selection -40: Collector-emitter saturation voltage as a function of collector current; typical values
BC817_BC817W_BC337_6
© NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 06 — 17 November 2009
8 of 19
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
