NXP Semiconductors
BC817; BC817W; BC337
45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors
400
h
FE
300
(1)
006aaa131
600
006aaa132
h
FE
(1)
400
200
(2)
(2)
200
100
(3)
(3)
0
10
−1
1
10
10
2
I
C
(mA)
10
3
0
10
−1
1
10
10
2
I
C
(mA)
10
3
V
CE
= 1 V
(1) T
amb
= 150
°C
(2) T
amb
= 25
°C
(3) T
amb
=
−55 °C
V
CE
= 1 V
(1) T
amb
= 150
°C
(2) T
amb
= 25
°C
(3) T
amb
=
−55 °C
Fig 1.
Selection -16: DC current gain as a function of
collector current; typical values
800
h
FE
600
(1)
Fig 2.
Selection -25: DC current gain as a function of
collector current; typical values
006aaa133
400
(2)
(3)
200
0
10
−1
1
10
10
2
I
C
(mA)
10
3
V
CE
= 1 V
(1) T
amb
= 150
°C
(2) T
amb
= 25
°C
(3) T
amb
=
−55 °C
Fig 3.
Selection -40: DC current gain as a function of collector current; typical values
BC817_BC817W_BC337_6
© NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 06 — 17 November 2009
6 of 19
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
