NXP Semiconductors
1PS66SB82; 1PS88SB82
15 V, 30 mA low C
d
Schottky barrier diodes
10
3
I
F
(mA)
(1)
(2)
mld549
10
3
I
R
(μA)
10
2
mld550
(3)
10
2
10
(1)
(2)
1
10
10
−1
(2)
(1)
(3)
(3)
1
10
−2
0.8
1.2
V
F
(V)
1.6
0
0.4
0
5
10
V
R
(V)
15
(1) T
amb
= 125
°C
(2) T
amb
= 85
°C
(3) T
amb
= 25
°C
(1) T
amb
= 125
°C
(2) T
amb
= 85
°C
(3) T
amb
= 25
°C
Fig 1.
Forward current as a function of forward
voltage; typical values
10
3
mgt838
Fig 2.
Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values
mld551
r
dif
(Ω)
10
2
1.2
C
d
(pF)
1
0.8
0.6
10
0.4
1
10
−1
1
10
I
F
(mA)
10
2
0
0
2
4
6
8
V
R
(V)
10
f = 1 kHz; T
amb
= 25
°C
f = 1 MHz; T
amb
= 25
°C
Fig 3.
Differential diode forward resistance as a
function of forward current; typical values
Fig 4.
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
1PS66SB82_1PS88SB82_4
© NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 13 January 2010
4 of 10
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
