Philips Semiconductors
Product specification
Schottky barrier diode
GRAPHICAL DATA
10
3
handbook, halfpage
IF
(mA)
10
2
MGL923
1PS74SB43
10
4
handbook, halfpage
IR
(µA)
10
3
MLC389
(1)
(2)
(3)
10
2
(1)
(2) (3)
(4)
(4)
10
10
1
0
T
amb
= 125
°C.
T
amb
= 100
°C.
T
amb
= 75
°C.
T
amb
= 25
°C.
0.2
0.4
VF (V)
0.6
1
0
(1) T
amb
= 125
°C.
(2) T
amb
= 100
°C.
(3) T
amb
= 75
°C.
(4) T
amb
= 25
°C.
10
20
30
V R (V) 40
(1)
(2)
(3)
(4)
Fig.2
Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
Fig.3
Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
10
3
handbook, halfpage
MLC390
Cd
(pF)
10
2
10
0
8
16
24
32 V (V) 40
R
f = 1 MHz; T
amb
= 25
°C.
Fig.4
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
1999 Dec 10
4
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
