Philips Semiconductors
Product specification
Schottky barrier (double) diodes
1PS70SB82; 1PS70SB84;
1PS70SB85; 1PS70SB86
handbook, halfpage
10
3
MGT835
10
3
handbook, halfpage
IR
(µA)
MGT836
IF
(mA)
(1)
(2) (3)
10
2
10
2
10
(1)
1
10
10
−1
(2)
(1)
(3)
(2)
(3)
1
0
0.4
0.8
1.2
VF (V)
1.6
10
−2
0
5
10
VR (V)
15
(1) T
amb
= 125
°C
.
(2) T
amb
= 85
°C
.
(3) T
amb
= 25
°C
.
(1) T
amb
= 125
°C
.
(2) T
amb
= 85
°C
.
(3) T
amb
= 25
°C
.
Fig.6
Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
Fig.7
Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
handbook, halfpage
1
MGT837
10
3
handbook, halfpage
rD
(Ω)
10
2
MGT838
Cd
(pF)
0.8
0.6
10
0.4
0
2
4
6
8
VR (V)
10
1
10
−1
1
10
IF (mA)
10
2
f = 1 MHz; T
amb
= 25
°C
.
f = 1 MHz; T
amb
= 25
°C
.
Fig.8
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
Fig.9
Differential diode forward resistance as a
function of forward current; typical values.
2001 Jan 18
4
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
