Philips Semiconductors
1PS66SB62; 1PS76SB62
40 V, 20 mA low C
d
Schottky barrier diodes
10
I
F
(mA)
mld553
10
4
I
R
(nA)
10
3
(1)
mld554
1
10
2
(2)
(2)
10
−1
(1)
(3)
10
1
(3)
10
−2
10
−1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
F
(V)
2
0
10
20
30
V
R
(V)
40
(1) T
amb
= 125
°C.
(2) T
amb
= 85
°C.
(3) T
amb
= 25
°C.
(1) T
amb
= 125
°C.
(2) T
amb
= 85
°C.
(3) T
amb
= 25
°C.
Fig 1. Forward current as a function of forward
voltage; typical values
Fig 2. Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values
mld555
0.40
C
d
(pF)
0.36
0.32
0.28
0.24
0.20
0
10
20
30
V
R
(V)
40
T
amb
= 25
°C;
f = 1 MHz.
Fig 3. Diode capacitance as a function of reverse voltage; typical values
9397 750 13845
© Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 03 — 24 November 2004
4 of 10
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
