Philips Semiconductors
1PSxSB17
4 V, 30 mA low C
d
Schottky barrier diode
10
2
I
F
(mA)
10
006aaa077
I
R
(nA)
10
5
10
4
10
3
10
2
(1)
006aaa078
(2)
(1)
(2)
(3)
(4)
1
10
1
(3)
10
−1
10
−1
10
−2
(4)
10
−2
0
0.2
0.4
0.6
V
F
(V)
0.8
10
−3
0
1
2
3
V
R
(V)
4
(1) T
amb
= 150
°C
(2) T
amb
= 85
°C
(3) T
amb
= 25
°C
(4) T
amb
=
−40 °C
(1) T
amb
= 150
°C
(2) T
amb
= 85
°C
(3) T
amb
= 25
°C
(4) T
amb
=
−40 °C
Fig 1. Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
Fig 2. Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
mlc797
0.8
C
d
(pF)
0.7
0.6
0.5
0.4
0
1
2
3
V
R
(V)
4
T
amb
= 25
°C;
f = 1 MHz
Fig 3. Diode capacitance as a function of reverse voltage; typical values.
9397 750 14587
© Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 06 — 4 April 2005
4 of 8
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
