Philips Semiconductors
Product specification
Schottky barrier diode
GRAPHICAL DATA
1PS59SB21
10
3
handbook, halfpage
IF
(mA)
10
2
(1)
(2)
MBK575
handbook, halfpage
1
MBK576
IR
(mA)
(1)
10
−1
10
(2)
10
−2
1
(3)
(3)
10
−1
150
(1) T
amb
= 125
°C.
(2) T
amb
= 85
°C.
(3) T
amb
= 25
°C.
250
350
450
VF (mV)
550
10
−3
0
10
20
30 V (V) 40
R
(1) T
amb
= 125
°C.
(2) T
amb
= 85
°C.
(3) T
amb
= 25
°C.
Fig.2
Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
Fig.3
Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
10
2
handbook, halfpage
MBK574
Cd
(pF)
10
1
0
10
20
30
VR (V)
40
f = 1 MHz; T
j
= 25
°C.
Fig.4
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
1999 May 05
4
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
