1N821T/R 参数 Datasheet PDF下载

型号：	1N821T/R
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内容描述：	[DIODE 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Voltage Reference Diode]
分类和应用：	二极管测试
文件页数/大小：	5 页 / 33 K
品牌：	PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

Voltage reference diodes

GRAPHICAL DATA

MBG534

1N821 to 1N829

1N821A to 1N829A

handbook, halfpage

(2)

(3)

(1)

handbook, halfpage

(mA)

7.5

0.002

∆S

(%/K)

0.001

MBG536

−0.001

(1)

(2)

(3)

−0.002

2.5

-75

-50

-25

∆V

ref(max) (mV)

−0.003

IZ (mA)

Referenced to I

= 7.5 mA.

(1) T

= 100

°C.

(2) T

= 25

°C.

(3) T

−55 °C.

Fig.2

Working current as a function of the

maximum reference voltage excursion.

Fig.3

Temperature coefficient change as a

function of working current; typical values.

handbook, halfpage

rdif

(Ω)

MBG535

(1)

(2)

(3)

IZ (mA)

(1) T

= 100

°C.

(2) T

= 25

°C.

(3) T

−55 °C.

Fig.4

Differential resistance as a function of

working current; typical values.

1996 Mar 20

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