XN04312
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
•
Tr1
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
输出电压高级别
输出电压低级别
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
OH
V
OL
R
1
R
1
/ R
2
f
T
V
CB
=
10 V，I
E
= −2
毫安，女
=
200兆赫
条件
I
C
=
10
µA,
I
E
=
0
I
C
=
2毫安，我
B
=
0
V
CB
=
50 V，I
E
=
0
V
CE
=
50 V，I
B
=
0
V
EB
=
6 V，I
C
=
0
V
CE
=
10 V，I
C
=
5毫安
I
C
=
10毫安，我
B
=
0.3毫安
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V ，R
L
=
1 kΩ
V
CC
=
5 V, V
B
=
2.5 V ，R
L
=
1 kΩ
−30%
0.8
22
1.0
150
4.9
0.2
+30%
1.2
60
0.25
民
50
50
0.1
0.5
0.2
典型值
最大
单位
V
V
µA
µA
mA
V
V
V
kΩ
兆赫
注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
•
Tr2
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
输出电压高级别
输出电压低级别
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
OH
V
OL
R
1
R
1
/ R
2
f
T
V
CB
= −10
V，I
E
=
1毫安，女
=
200兆赫
条件
I
C
= −10 µA,
I
E
=
0
I
C
= −2
妈，我
B
=
0
V
CB
= −50
V，I
E
=
0
V
CE
= −50
V，I
B
=
0
V
EB
= −6
V，I
C
=
0
V
CE
= −10
V，I
C
= −5
mA
I
C
= −10
妈，我
B
= −
0.3毫安
V
CC
= −5
V, V
B
= −
0.5 V ，R
L
=
1 kΩ
V
CC
= −5
V, V
B
= −2.5
V ，R
L
=
1 kΩ
−30%
0.8
22
1.0
80
−4.9
−
0.2
+30%
1.2
60
−
0.25
民
−50
−50
−
0.1
−
0.5
−
0.2
典型值
最大
单位
V
V
µA
µA
mA
V
V
V
kΩ
兆赫
注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
共同的特征图
P
T
T
a
500
总功耗P
T
（ mW）的
400
300
200
100
0
0
40
80
120
160
环境温度T
a
(
°C
)
2
SJJ00062BED
PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
