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XN4312 参数 Datasheet PDF下载

XN4312图片预览
型号: XN4312
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内容描述: 硅NPN ( PNP )外延平面晶体管 [Silicon NPN(PNP) epitaxial planer transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 114 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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复合晶体管
XN04312
(XN4312)
NPN硅外延平面型( Tr1的)
PNP硅外延平面型( TR2)
单位:mm
对于开关/数字电路
特点
两个元素合并到一个包
(晶体管具有内置电阻)
由一个半减少安装面积和装配成本的
4
2.90
+0.20
–0.05
1.9
±0.1
(0.95) (0.95)
5
6
0.16
+0.10
–0.06
1.50
+0.25
–0.05
2.8
+0.2
–0.3
3
2
1
基本型号
UNR2212 ( UN2212 )
+
UNR2112 ( UN2112 )
0.30
+0.10
–0.05
0.50
+0.10
–0.05
10˚
1.1
+0.2
–0.1
参数
Tr1
集电极 - 基极电压
(发射极开路)
集电极 - 发射极电压
(基地开)
集电极电流
Tr2
集电极 - 基极电压
(发射极开路)
集电极 - 发射极电压
(基地开)
集电极电流
整体
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
50
50
100
−50
−50
−100
300
150
−55
to
+150
单位
V
V
mA
V
V
mA
mW
°C
°C
3
1 :收藏家( Tr1的)
2 :基地( TR2)
3 :发射器( TR2)
EIAJ : SC- 74
0-0.1
标记符号: 7T
内部连接
4
Tr2
Tr1
2
1
5
6
注)括号中的部分数字表示以往的零件号。
出版日期: 2004年3月
SJJ00062BED
1.1
+0.3
–0.1
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
(0.65)
4 :收藏家( TR2)
5 :基地( Tr1的)
6 :发射器( Tr1的)
Mini6 -G1封装
0.4
±0.2
1