UN2211/2212/2213/2214/2215/2216/2217/2218/2219/2210/
晶体管具有内置电阻221D / 221E / 221F / 221K / 221L / 221M / 221N / 221T / 221V / 221Z
UN221N的特性图
I
C
— V
CE
160
Ta=25˚C
140
I
B
=1.0mA
0.9mA
0.8mA
0.7mA
0.6mA
0.5mA
0.4mA
0.3mA
0.2mA
V
CE （ SAT ）
— I
C
10
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=10
480
V
CE
=10V
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
正向电流传输比H
FE
400
Ta=75˚C
集电极电流I
C
（MA ）
120
100
80
60
40
1
320
25˚C
240
0.1
25˚C
Ta=75˚C
160
–25˚C
0.1mA
20
0
0
2
4
6
8
10
12
80
–25˚C
0.01
1
10
100
1000
0
1
10
100
1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
— V
CB
6
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25˚C
10000
V
O
=5V
Ta=25˚C
100
V
IN
— I
O
V
O
=0.2V
Ta=25˚C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
5
输出电流I
O
(
µA
)
4
3
100
输入电压V
IN
(V)
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1000
10
1
2
10
0.1
1
0
1
10
100
1
0.4
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
UN221T的特性图
I
C
— V
CE
160
Ta=25˚C
140
I
B
=1.0mA
0.9mA
0.8mA
0.7mA
0.6mA
0.5mA
0.4mA
80
60
40
0.1mA
20
0
0
2
4
6
8
10
12
0.3mA
0.2mA
V
CE （ SAT ）
— I
C
10
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=10
480
V
CE
=10V
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
正向电流传输比H
FE
400
Ta=75˚C
320
25˚C
集电极电流I
C
（MA ）
120
100
1
240
0.1
25˚C
Ta=75˚C
–25˚C
160
80
–25˚C
0.01
1
10
100
1000
0
1
10
100
1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
15
PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
