UN2211/2212/2213/2214/2215/2216/2217/2218/2219/2210/
晶体管具有内置电阻221D / 221E / 221F / 221K / 221L / 221M / 221N / 221T / 221V / 221Z
UN221D的特性图
I
C
— V
CE
30
V
CE （ SAT ）
— I
C
100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=10
160
V
CE
=10V
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
120
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
25
30
10
3
1
0.3
25˚C
0.1
0.03
0.01
0.1
–25˚C
I
B
=1.0mA
20
15
0.2mA
10
0.1mA
正向电流传输比H
FE
100
集电极电流I
C
（MA ）
Ta=25˚C
0.9mA
0.8mA
0.5mA
0.7mA
0.4mA
0.6mA
0.3mA
80
Ta=75˚C
40
5
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0.3
1
3
10
30
1
3
10
30
100
300
1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
— V
CB
6
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25˚C
V
IN
— I
O
V
O
=5V
Ta=25˚C
100
30
V
O
=0.2V
Ta=25˚C
10000
3000
集电极输出电容C
ob
（PF ）
5
输出电流I
O
(
µA
)
4
输入电压V
IN
(V)
1000
300
100
30
10
3
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
3
2
1
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.3
1
3
10
30
100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
UN221E的特性图
I
C
— V
CE
60
V
CE （ SAT ）
— I
C
100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=10
160
V
CE
=10V
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
50
30
10
3
1
Ta=75˚C
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
25˚C
正向电流传输比H
FE
I
B
=1.0mA
0.7毫安的Ta = 25℃
0.9mA
0.6mA
0.8mA
集电极电流I
C
（MA ）
120
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
40
0.3mA
0.4mA
0.5mA
0.2mA
30
80
0.1mA
20
40
10
–25˚C
0
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
300
1000
0
0
2
4
6
8
10
12
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
11
PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
