s
电气特性
（大= 25℃） （待续）
• AN7915T / AN7915F （ -15V型）
参数
输出电压
输出电压容差
线路调整
负载调整率
偏置电流
输入偏置波动
加载偏置电流波动
输出噪声电压
纹波抑制比
最小输入/输出电压差
峰值输出电流
输出电压温度COEF网络cient
符号
V
O
V
O
REG
IN
REG
L
I
BIAS
∆I
偏压（IN）的
∆I
偏压（L）的
V
no
RR
V
DIF （分钟）
I
O（峰）
∆V
O
/ TA
条件
T
j
=25˚C
V
I
=–17.5
到-30V ，
I
O
=5mA
为1A ，P
D
< *
=
V
I
=–17.5
到-30V ，T
j
=25˚C
V
I
=–20
到-26V ，T
j
=25˚C
I
O
=5mA
至1.5A ，T
j
=25˚C
I
O
=250
为750mA ，T
j
=25˚C
T
j
=25˚C
V
I
=–17.5
到-30V ，T
j
=25˚C
I
O
=5mA
为1A ，T
j
=25˚C
F = 10Hz至100kHz ，TA = 25℃
V
I
=–18.5
为-28.5V ，我
O
=100mA,
f=120Hz
I
O
=1A,
T
j
=25˚C
T
j
=25˚C
I
O
=5mA,
T
j
=0
至125℃
54
90
69
1.1
2.1
–0.9
民
–14.4
–14.25
11
3
12
4
2.5
典型值
–15
最大
–15.6
–15.75
300
150
300
150
5
1
0.5
单位
V
V
mV
mV
mV
mV
mA
mA
mA
µV
dB
V
A
毫伏/°C的
注1 ）指定的条件牛逼
j
=25˚C
指试验应进行与测试时间如此之短（ 10ms内） ，该
由于上升的芯片结温度漂移特性值可以被忽略。
注2）除非另有说明，V
I
=–23V,
I
O
=500mA,
C
I
=2µF,
C
O
=1µF,
T
j
=0
至125℃
* AN7900T系列： 15W ， AN7900F系列： 10.25W
• AN7918T / AN7918F （ -18V型）
参数
输出电压
输出电压容差
线路调整
负载调整率
偏置电流
输入偏置波动
加载偏置电流波动
输出噪声电压
纹波抑制比
最小输入/输出电压差
峰值输出电流
输出电压温度COEF网络cient
符号
V
O
V
O
REG
IN
REG
L
I
BIAS
∆I
偏压（IN）的
∆I
偏压（L）的
V
no
RR
V
DIF （分钟）
I
O（峰）
∆V
O
/ TA
条件
T
j
=25˚C
V
I
=–21
到-33V ，
I
O
=5mA
为1A ，P
D
< *
=
民
–17.3
–17.1
15
5
12
4
2.5
典型值
–18
最大
–18.7
–18.9
360
180
360
180
5
1
0.5
110
53
68
1.1
2.1
–1
单位
V
V
mV
mV
mV
mV
mA
mA
mA
µV
dB
V
A
毫伏/°C的
V
I
=–21
到-33V ，T
j
=25˚C
V
I
=–24
到-30V ，T
j
=25˚C
I
O
=5mA
至1.5A ，T
j
=25˚C
I
O
=250
为750mA ，T
j
=25˚C
T
j
=25˚C
V
I
=–21
到-33V ，T
j
=25˚C
I
O
=5mA
为1A ，T
j
=25˚C
F = 10Hz至100kHz ，TA = 25℃
V
I
=–22
到-32V ，我
O
=100mA,
f=120Hz
I
O
=1A,
T
j
=25˚C
T
j
=25˚C
I
O
=5mA,
T
j
=0
至125℃
注1 ）指定的条件牛逼
j
=25˚C
指试验应进行与测试时间如此之短（ 10ms内） ，该
由于上升的芯片结温度漂移特性值可以被忽略。
注2）除非另有说明，V
I
=–27V,
I
O
=500mA,
C
I
=2µF,
C
O
=1µF,
T
j
=0
至125℃
* AN7900T系列： 15W ， AN7900F系列： 10.25W
6
PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
