s
电气特性
（大= 25℃） （待续）
• AN7910T / AN7910F （ -10V型）
参数
输出电压
输出电压容差
线路调整
负载调整率
偏置电流
输入偏置波动
加载偏置电流波动
输出噪声电压
纹波抑制比
最小输入/输出电压差
峰值输出电流
输出电压温度COEF网络cient
符号
V
O
V
O
REG
IN
REG
L
I
BIAS
∆I
偏压（IN）的
∆I
偏压（L）的
V
no
RR
V
DIF （分钟）
I
O（峰）
∆V
O
/ TA
条件
T
j
=25˚C
V
I
=–12.5
到-25V ，
I
O
=5mA
为1A ，P
D
< *
=
V
I
=–12.5
到-27V ，T
j
=25˚C
V
I
=–13
到-19V ，T
j
=25˚C
I
O
=5mA
至1.5A ，T
j
=25˚C
I
O
=250
为750mA ，T
j
=25˚C
T
j
=25˚C
V
I
=–12.5
到-27V ，T
j
=25˚C
I
O
=5mA
为1A ，T
j
=25˚C
F = 10Hz至100kHz ，TA = 25℃
V
I
=–13
到-23V ，我
O
=100mA,
f=120Hz
I
O
=1A,
T
j
=25˚C
T
j
=25˚C
I
O
=5mA,
T
j
=0
至125℃
56
64
71
1.1
2.1
– 0.7
民
–9.6
–9.5
8
2.5
12
4
2.5
典型值
–10
最大
–10.4
–10.5
200
100
200
100
5
1
0.5
单位
V
V
mV
mV
mV
mV
mA
mA
mA
µV
dB
V
A
毫伏/°C的
注1 ）指定的条件牛逼
j
=25˚C
指试验应进行与测试时间如此之短（ 10ms内） ，该
由于上升的芯片结温度漂移特性值可以被忽略。
注2）除非另有说明，V
I
=–16V,
I
O
=500mA,
C
I
=2µF,
C
O
=1µF,
T
j
=0
至125℃
* AN7900T系列： 15W ， AN7900F系列： 10.25W
• AN7912T / AN7912F （ -12V型）
参数
输出电压
输出电压容差
线路调整
负载调整率
偏置电流
输入偏置波动
加载偏置电流波动
输出噪声电压
纹波抑制比
最小输入/输出电压差
峰值输出电流
输出电压温度COEF网络cient
符号
V
O
V
O
REG
IN
REG
L
I
BIAS
∆I
偏压（IN）的
∆I
偏压（L）的
V
no
RR
V
DIF （分钟）
I
O（峰）
∆V
O
/ TA
条件
T
j
=25˚C
V
I
=–14.5
到-27V ，
I
O
=5mA
为1A ，P
D
< *
=
V
I
=–14.5
到-30V ，T
j
=25˚C
V
I
=–16
到-22V ，T
j
=25˚C
I
O
=5mA
至1.5A ，T
j
=25˚C
I
O
=250
为750mA ，T
j
=25˚C
T
j
=25˚C
V
I
=–14.5
到-30V ，T
j
=25˚C
I
O
=5mA
为1A ，T
j
=25˚C
F = 10Hz至100kHz ，TA = 25℃
V
I
=–15
到-25V ，我
O
=100mA,
f=120Hz
I
O
=1A,
T
j
=25˚C
T
j
=25˚C
I
O
=5mA,
T
j
=0
至125℃
55
75
70
1.1
2.1
– 0.8
民
–11.5
–11.4
10
3
12
4
2.5
典型值
–12
最大
–12.5
–12.6
240
120
240
120
5
1
0.5
单位
V
V
mV
mV
mV
mV
mA
mA
mA
µV
dB
V
A
毫伏/°C的
注1 ）指定的条件牛逼
j
=25˚C
指试验应进行与测试时间如此之短（ 10ms内） ，该
由于上升的芯片结温度漂移特性值可以被忽略。
注2）除非另有说明，V
I
=–19V,
I
O
=500mA,
C
I
=2µF,
C
O
=1µF,
T
j
=0
至125℃
* AN7900T系列： 15W ， AN7900F系列： 10.25W
5
PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
