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AN77L03M 参数 Datasheet PDF下载

AN77L03M图片预览
型号: AN77L03M
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内容描述: 3针低功耗电压Regulato ( 100毫安型) [3-pin Low Power Loss Voltage Regulato (100mA Type)]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 83 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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稳压器
s
电气特性
(Ta=25˚C)
AN77L07 / M (N , 100毫安型)
参数
输出电压
INPUT稳定性
负载稳定度
在无负载下的偏置电流
在负载下的偏置电流波动
调控开始前偏置电流
纹波抑制比
分钟。输入/输出电压差(1)
分钟。输入/输出电压差(2)
输出噪声电压
输出电压温度COEF网络cient
符号
V
O
REG
IN
REG
L
I
BIAS
∆I
BIAS
I
RR
V
DIF (分钟) 1
V
DIF (分钟) 2
V
no
∆V
O
/ TA
T
j
=25˚C
条件
AN77L00 / AN77L00M系列
6.72
典型值
7.0
5
11
1.1
3
1.5
最大
7.28
70
70
1.6
5
5
0.25
0.48
单位
V
mV
mV
mA
mA
mA
dB
V
V
µV
毫伏/°C的
V
I
= 7.78为17.78V ,T
j
=25˚C
I
O
= 0至100mA ,T
j
=25˚C
I
O
= 0毫安,T
j
=25˚C
I
O
= 0至100mA ,T
j
=25˚C
V
I
= 6.3V ,我
O
= 0毫安,T
j
=25˚C
V
I
= 7.78到9.78V , F = 120Hz的
V
I
= 6.3V ,我
O
= 50毫安,T
j
=25˚C
V
I
= 6.3V ,我
O
= 100毫安,T
j
=25˚C
F = 10Hz至100kHz
T
j
= -30 〜+ 125℃
55
65
0.12
0.26
120
0.46
注1 )在牛逼
j
= 25℃时,每次测试持续时间可以被设定为较短( 10ms内),并与温度上升特性漂移
芯片的接头可能被忽略。
注2 )V
I
= 8V ,我
O
= 50毫安,C
O
= 10μF ,除非另有规定。
AN77L08 / M ( 8V , 100毫安型)
参数
输出电压
INPUT稳定性
负载稳定度
在无负载下的偏置电流
在负载下的偏置电流波动
调控开始前偏置电流
纹波抑制比
分钟。输入/输出电压差(1)
分钟。输入/输出电压差(2)
输出噪声电压
输出电压温度COEF网络cient
符号
V
O
REG
IN
REG
L
I
BIAS
∆I
BIAS
I
RR
V
DIF (分钟) 1
V
DIF (分钟) 2
V
no
∆V
O
/ TA
T
j
=25˚C
V
I
= 8.82为18.82V ,T
j
=25˚C
I
O
= 0至100mA ,T
j
=25˚C
I
O
= 0毫安,T
j
=25˚C
I
O
= 0至100mA ,T
j
=25˚C
V
I
= 7.2V ,我
O
= 0毫安,T
j
=25˚C
V
I
= 8.82为10.82V , F = 120Hz的
V
I
= 7.2V ,我
O
= 50毫安,T
j
= 25˚C
V
I
= 7.2V ,我
O
= 100毫安,T
j
= 25˚C
F = 10Hz至100kHz
T
j
= -30 〜+ 125℃
53
条件
7.68
典型值
8
5
12
1.1
3
1.5
63
0.12
0.27
135
0.53
0.25
0.51
最大
8.32
80
80
1.6
5
5
单位
V
mV
mV
mA
mA
mA
dB
V
V
µV
毫伏/°C的
注1 )在牛逼
j
= 25℃时,每次测试持续时间可以被设定为较短( 10ms内),并与温度上升特性漂移
芯片的接头可能被忽略。
注2 )V
I
= 9V ,我
O
= 50毫安,C
O
= 10μF ,除非另有规定。
AN77L09 / M( 9V, 100毫安型)
参数
输出电压
INPUT稳定性
负载稳定度
在无负载下的偏置电流
在负载下的偏置电流波动
调控开始前偏置电流
纹波抑制比
分钟。输入/输出电压差(1)
分钟。输入/输出电压差(2)
输出噪声电压
输出电压温度COEF网络cient
符号
V
O
REG
IN
REG
L
I
BIAS
∆I
BIAS
I
RR
V
DIF (分钟) 1
V
DIF (分钟) 2
V
no
∆V
O
/ TA
T
j
=25˚C
V
I
= 9.86为19.86V ,T
j
=25˚C
I
O
= 0至100mA ,T
j
=25˚C
I
O
= 0毫安,T
j
=25˚C
I
O
= 0至100mA ,T
j
=25˚C
V
I
= 8.1V ,我
O
= 0毫安,T
j
=25˚C
V
I
= 9.86为11.86V , F = 120Hz的
V
I
= 8.1V ,我
O
= 50毫安,T
j
=25˚C
V
I
= 8.1V ,我
O
= 100毫安,T
j
=25˚C
F = 10Hz至100kHz
T
j
= -30 〜+ 125℃
52
条件
8.64
典型值
9
6
13
1.2
3
1.5
62
0.13
0.28
150
0.6
0.25
0.53
最大
9.36
90
90
1.7
5
5
单位
V
mV
mV
mA
mA
mA
dB
V
V
µV
毫伏/°C的
注1 )在牛逼
j
= 25℃时,每次测试持续时间可以被设定为较短( 10ms内),并与温度上升特性漂移
芯片的接头可能被忽略。
注2 )V
I
= 10V ,我
O
= 50毫安,C
O
= 10μF ,除非另有规定。
5