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AN77L03M 参数 Datasheet PDF下载

AN77L03M图片预览
型号: AN77L03M
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内容描述: 3针低功耗电压Regulato ( 100毫安型) [3-pin Low Power Loss Voltage Regulato (100mA Type)]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 83 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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AN77L00 / AN77L00M系列
s
电气特性
(Ta=25˚C)
AN77L045 / M( 4.5V ,百毫安型)
参数
输出电压
INPUT稳定性
负载稳定度
在无负载下的偏置电流
在负载下的偏置电流波动
调控开始前偏置电流
纹波抑制比
分钟。输入/输出电压差(1)
分钟。输入/输出电压差(2)
输出噪声电压
输出电压温度COEF网络cient
符号
V
O
REG
IN
REG
L
I
BIAS
∆I
BIAS
I
RR
V
DIF (分钟) 1
V
DIF (分钟) 2
V
no
∆V
O
/ TA
T
j
=25˚C
V
I
= 5.18为15.18V ,T
j
=25˚C
I
O
= 0至100mA ,T
j
=25˚C
I
O
= 0毫安,T
j
=25˚C
I
O
= 0至100mA ,T
j
=25˚C
V
I
= 4.05V ,我
O
= 0毫安,T
j
=25˚C
V
I
= 7.18到6.18V , F = 120Hz的
V
I
= 4.05V ,我
O
= 50毫安,T
j
=25˚C
V
I
= 4.05V ,我
O
= 100毫安,T
j
=25˚C
F = 10Hz至100kHz
T
j
= -30 〜+ 125℃
58
条件
4.32
稳压器
典型值
4.5
3
10
0.9
3
1.5
68
0.12
0.23
85
0.3
最大
4.68
60
60
1.5
5
5
0.25
0.43
单位
V
mV
mV
mA
mA
mA
dB
V
V
µV
毫伏/°C的
注1 )在牛逼
j
= 25℃时,每次测试持续时间可以被设定为较短( 10ms内),并与温度上升特性漂移
芯片的接头可能被忽略。
注2 )V
I
= 5.5V ,我
O
= 50毫安,C
O
= 10μF ,除非另有规定。
AN77L05 / M ( 5V , 100毫安型)
参数
输出电压
INPUT稳定性
负载稳定度
在无负载下的偏置电流
在负载下的偏置电流波动
调控开始前偏置电流
纹波抑制比
分钟。输入/输出电压差(1)
分钟。输入/输出电压差(2)
输出噪声电压
输出电压温度COEF网络cient
符号
V
O
REG
IN
REG
L
I
BIAS
∆I
BIAS
I
RR
V
DIF (分钟) 1
V
DIF (分钟) 2
V
no
∆V
O
/ TA
T
j
=25˚C
V
I
= 5.7〜 15.7V ,T
j
=25˚C
I
O
= 0至100mA ,T
j
=25˚C
I
O
= 0毫安,T
j
=25˚C
I
O
= 0至100mA ,T
j
=25˚C
V
I
= 4.5V ,我
O
= 0毫安,T
j
=25˚C
V
I
= 5.7〜 7.7V , F = 120Hz的
V
I
= 4.5V ,我
O
= 50毫安,T
j
=25˚C
V
I
= 4.5V ,我
O
= 100毫安,T
j
=25˚C
F = 10Hz至100kHz
T
j
= -30 〜+ 125℃
58
条件
4.8
典型值
5
4
10
0.9
3
1.5
68
0.12
0.24
90
0.33
0.25
0.3
最大
5.2
60
60
1.5
5
5
单位
V
mV
mV
mA
mA
mA
dB
V
V
µV
毫伏/°C的
注1 )在牛逼
j
= 25℃时,每次测试持续时间可以被设定为较短( 10ms内),并与温度上升特性漂移
芯片的接头可能被忽略。
注2 )V
I
= 6V ,我
O
= 50毫安,C
O
= 10μF ,除非另有规定。
AN77L06 / M( 6V, 100毫安型)
参数
输出电压
INPUT稳定性
负载稳定度
在无负载下的偏置电流
在负载下的偏置电流波动
调控开始前偏置电流
纹波抑制比
分钟。输入/输出电压差(1)
分钟。输入/输出电压差(2)
输出噪声电压
输出电压温度COEF网络cient
符号
V
O
REG
IN
REG
L
I
BIAS
∆I
BIAS
I
RR
V
DIF (分钟) 1
V
DIF (分钟) 2
V
no
∆V
O
/ TA
T
j
=25˚C
V
I
= 6.74为16.74V ,T
j
=25˚C
I
O
= 0至100mA ,T
j
=25˚C
I
O
= 0毫安,T
j
=25˚C
I
O
= 0至100mA ,T
j
=25˚C
V
I
= 5.4V ,我
O
= 0毫安,T
j
=25˚C
V
I
= 6.74到8.74V , F = 120Hz的
V
I
= 5.4V ,我
O
= 50毫安,T
j
=25˚C
V
I
= 5.4V ,我
O
= 100毫安,T
j
=25˚C
F = 10Hz至100kHz
T
j
= -30 〜+ 125℃
56
条件
5.76
典型值
6
4
11
0.9
3
1.5
66
0.12
0.25
105
0.4
0.25
0.46
最大
6.24
60
60
1.5
5
5
单位
V
mV
mV
mA
mA
mA
dB
V
V
µV
毫伏/°C的
注1 )在牛逼
j
= 25℃时,每次测试持续时间可以被设定为较短( 10ms内),并与温度上升特性漂移
芯片的接头可能被忽略。
注2 )V
I
= 7V ,我
O
= 50毫安,C
O
= 10μF ,除非另有规定。
4