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    2SK601 参数 Datasheet PDF下载

    2SK601图片预览
    型号： 2SK601
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 2 页 / 37 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SK601的Datasheet PDF文件第1页  
    硅MOS场效应管（小信号）
    P
    D
    Ta
    1.6
    1.2
    排水部的铜箔
    应该有1cm的一个区
    2
    以上董事会
    厚度应1.7毫米。
    Ta=25˚C
    1.0
    V
    GS
    =5.5V
    1.0
    2SK601
    I
    D
    V
    DS
    1.2
    V
    DS
    =10V
    Ta=25˚C
    I
    D
    V
    GS
    允许功耗P
    D
    (W)
    1.4
    1.2
    1.0
    0.8
    0.6
    0.4
    0.2
    0
    0
    20
    40
    漏电流I
    D
    (A)
    0.8
    5V
    漏电流I
    D
    (A)
    0.8
    0.6
    4.5V
    0.6
    0.4
    4V
    0.4
    3.5V
    0.2
    3V
    0
    60
    80 100 120 140 160
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    0.2
    环境温度Ta （C ）
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    | Y
    fs
    |
    V
    GS
    输入电容（共源） ，输出电容（共源）
    反向传输电容（共源）C
    国际空间站
    ,C
    OSS
    ,C
    RSS
    （PF ）
    600
    C
    国际空间站
    , C
    OSS
    , C
    RSS
    V
    DS
    V
    DS
    =15V
    f=1kHz
    Ta=25˚C
    V
    GS
    =0
    f=1MHz
    Ta=25˚C
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    漏源导通电阻R
    DS （ ON）
    (
    Ω
    )
    6
    I
    D
    =500mA
    5
    120
    正向转移导纳| Y
    fs
    | （女士）
    500
    100
    400
    80
    4
    300
    60
    3
    Ta=75˚C
    2
    25˚C
    –25˚C
    200
    40
    C
    国际空间站
    100
    20
    C
    OSS
    0
    1
    3
    10
    30
    C
    RSS
    100
    300
    1000
    1
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    0
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    R
    DS （ ON）
    Ta
    漏源导通电阻R
    DS （ ON）
    (
    Ω
    )
    6
    I
    D
    =500mA
    5
    4
    V
    GS
    =5V
    3
    10V
    2
    1
    0
    –50
    –25
    0
    25
    50
    75
    环境温度Ta （C ）
    2

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