2SK601 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SK601
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内容描述：	硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
分类和应用：
文件页数/大小：	2 页 / 37 K
品牌：	PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]

硅MOS场效应管（小信号）

2SK601

硅N沟道MOS FET

切换

单位：mm

特点

低导通电阻R

DS （ ON）

高速开关

从而允许直接由CMOS和TTL驱动

小功率型封装，成套，允许小型化，

自动插入通过磁带/杂志包装。

2.6±0.1

4.5±0.1

1.6±0.2

1.5±0.1

0.4max.

45˚

1.0

–0.2

+0.1

0.4±0.08

4.0

–0.20

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

参数

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

最大漏极电流

允许功耗

通道温度

储存温度

0.5±0.08

1.5±0.1

3.0±0.15

0.4±0.04

符号

GSO

英镑

评级

±0.5

±1

150

−55

+150

单位

°C

1 ：门

2 ：排水

3 ：源

EIAJ ：SC- 62

小功率型封装（ 3针）

记号

标记符号：o

PC板：漏极部的铜箔应该有1cm的一个区

更多的电路板厚度应为1.7毫米。

电气特性

（ TA = 25°C ）

参数

漏极到源极截止电流

门源漏电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏极至源极导通电阻

正向转移导纳

符号

DSS

GSS

DSS

DS(on)*1

| Y

OSS

条件

= 60V, V

= 0

= 20V, V

= 0

= 100μA ，V

= 0

= 1mA时， V

= V

= 0.5A ，V

= 10V

= 0.2A ，V

= 15V ， F = 1kHz时

= 10V, V

= 0中，f = 1MHz的

民

典型值

最大

0.1

单位

µA

1.5

300

3.5

Ω

输入电容（共源）C

国际空间站

输出电容（共源）

反向传输电容（共源）C

RSS

开启时间

打开-O FF时间

关闭

脉冲测量

, t

关闭

测量电路

OUT

= 10V

68Ω

= 30V

OUT

10%

90%

90% V

t = 1µ

F = 1MH

OUT

50Ω

关闭

2.5±0.1

+0.25

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