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2SK3047 参数 Datasheet PDF下载

2SK3047图片预览
型号: 2SK3047
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内容描述: 硅N沟道功率的F- MOS FET [Silicon N-Channel Power F-MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 3 页 / 46 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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动力F- MOS场效应管
V
DS
, V
GS
Q
g
800
16
14
12
10
V
DS
V
GS
8
6
4
2
0
24
120
I
D
=2A
T
C
=25˚C
2SK3047
t
D(上)
, t
r
, t
f
, t
D(关闭)
I
D
V
DD
=200V
V
GS
=10V
T
C
=25˚C
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
700
600
500
400
300
200
100
0
0
4
8
12
16
开关时间t
D(上)
,t
r
,t
f
,t
D(关闭)
(纳秒)
100
80
60
t
D(关闭)
40
t
f
t
r
20
t
D(上)
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
20
栅极电荷量Q
g
( NC )
漏电流I
D
(A)
R
日(T )
t
10
2
( 1 )不带散热片
(2)在一个100
×
100
×
2毫米铝散热片
(1)
热阻R
th
(吨)( C / W)
10
(2)
1
10
–1
10
–2
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
10
2
10
3
10
4
时间t (S )
3