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2SK3047 参数 Datasheet PDF下载

2SK3047图片预览
型号: 2SK3047
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内容描述: 硅N沟道功率的F- MOS FET [Silicon N-Channel Power F-MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 3 页 / 46 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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动力F- MOS场效应管
安全操作区( ASO )
100
30
10
T = 10μs的
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
1
3
10
30
100
300
1000
100µs
1ms
DC
10ms
100ms
60
2SK3047
P
D
Ta
30
EAS
T
j
雪崩能量容量EAS (兆焦耳)
V
DD
=50V
I
D
=2A
25
允许功耗P
D
(W)
非重复脉冲
T
C
=25˚C
(1) T
C
= TA
(2)不带散热片
50
漏电流I
D
(A)
40
20
30
(1)
20
15
10
10
(2)
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
5
0
25
50
75
100
125
150
175
漏极至源极电压V
DS
(V)
环境温度Ta (C )
结温度T
j
(˚C)
I
D
V
DS
4
T
C
=25˚C
V
GS
=15V
4
5
I
D
V
GS
6
V
DS
=25V
V
th
T
C
V
DS
=25V
I
D
=1mA
5
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
3
10V
栅极阈值电压V
th
(V)
10
12
T
C
=0˚C
25˚C
100˚C
125˚C
4
7V
2
6.5V
6V
1
5.5V
5V
0
0
10
20
30
40
50
60
3
3
2
2
1
1
0
0
2
4
6
8
0
0
25
50
75
100
125
150
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
案例温度T
C
(˚C)
R
DS ( ON)
I
D
漏源导通电阻R
DS ( ON)
(
)
12
2.0
| Y
fs
|
I
D
正向转移导纳| Y
fs
| (S)
V
DS
=25V
T
C
=25˚C
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
V
DS
输入电容(共源) ,输出电容(共源)
反向传输电容(共源)C
国际空间站
,C
OSS
,C
RSS
(PF )
10000
f=1MHz
T
C
=25˚C
10
1.5
1000
C
国际空间站
8
V
GS
=10V
15V
4
6
1.0
100
C
OSS
0.5
10
C
RSS
2
0
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
1
0
50
100
150
200
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
2