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    2SK3046 参数 Datasheet PDF下载

    2SK3046图片预览
    型号： 2SK3046
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道功率的F- MOS FET [Silicon N-Channel Power F-MOS FET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 3 页 / 48 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SK3046的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK3046的Datasheet PDF文件第3页  
    动力F- MOS场效应管
    安全操作区（ ASO ）
    100
    30
    10
    3
    1
    0.3
    10ms
    0.1
    100ms
    0.03
    0.01
    1
    3
    10
    30
    100
    300
    1000
    60
    2SK3046
    P
    D
    Ta
    100
    EAS
    T
    j
    雪崩能量容量EAS （兆焦耳）
    允许功耗P
    D
    (W)
    非重复脉冲
    T
    C
    =25˚C
    t=10µs
    (1) T
    C
    = TA
    （2）不带散热片
    50
    80
    漏电流I
    D
    (A)
    40
    (1)
    30
    DC
    100µs
    1ms
    60
    40
    20
    10
    (2)
    0
    0
    20
    40
    60
    80 100 120 140 160
    20
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    环境温度Ta （C ）
    结温度T
    j
    (˚C)
    I
    D
    V
    DS
    16
    T
    C
    =25˚C
    14 V
    GS
    =15V
    10V
    8
    12
    10
    8
    6
    4
    5V
    2
    0
    0
    10
    20
    30
    40
    50W
    4V
    50
    60
    0
    0
    2
    5.5V
    7V
    6V
    10
    I
    D
    V
    GS
    6
    V
    DS
    =25V
    T
    C
    =0˚C
    25˚C
    150˚C
    100˚C
    V
    th
    T
    C
    V
    DS
    =25V
    I
    D
    =1mA
    5
    栅极阈值电压V
    th
    (V)
    10
    12
    漏电流I
    D
    (A)
    漏电流I
    D
    (A)
    4
    6
    3
    4
    2
    2
    1
    0
    4
    6
    8
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    案例温度T
    C
    (˚C)
    V
    DS
    V
    GS
    漏源导通电阻R
    DS （ ON）
    (
    Ω
    )
    40
    T
    C
    =25˚C
    2.4
    R
    DS （ ON）
    I
    D
    6
    | Y
    fs
    |
    I
    D
    正向转移导纳| Y
    fs
    | (S)
    V
    GS
    =10V
    V
    DS
    =25V
    T
    C
    =25˚C
    5
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    2.0
    30
    1.6
    T
    C
    =150˚C
    1.2
    100˚C
    4
    20
    3
    I
    D
    =14A
    10
    1.75A
    0.8
    25˚C
    0˚C
    2
    7A
    3.5A
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    0.4
    1
    0
    0
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    漏电流I
    D
    (A)
    漏电流I
    D
    (A)
    2

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