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2SK3046 参数 Datasheet PDF下载

2SK3046图片预览
型号: 2SK3046
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内容描述: 硅N沟道功率的F- MOS FET [Silicon N-Channel Power F-MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 3 页 / 48 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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动力F- MOS场效应管
2SK3046
硅N沟道功率的F- MOS FET
s
特点
q
雪崩能量容量保证: EAS > 130mJ
q
V
GSS
= ± 30V保证
q
高速开关:吨
f
= 60ns的
q
无二次击穿
单位:mm
9.9±0.3
4.6±0.2
2.9±0.2
s
应用
q
非接触式继电器
q
潜水电路为一个螺线管
q
驱动电路,一个马达
q
控制设备
q
开关电源
15.0±0.5
φ3.2±0.1
13.7±0.2
4.2±0.2
1.4±0.2
1.6±0.2
0.8±0.1
3.0±0.5
2.6±0.1
0.55±0.15
s
绝对最大额定值
(T
C
= 25°C)
参数
漏源击穿电压
栅极至源极电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
EAS
*
P
D
T
ch
T
英镑
评级
500
±30
±7
±14
130
40
2
150
−55
+150
单位
V
V
A
A
mJ
W
°C
°C
1
2
2.54±0.3
3 5.08±0.5
1 :门
2 :排水
3 :源
TO- 220D套餐
雪崩能量容量
允许功率
耗散
通道温度
储存温度
*
T
C
= 25°C
TA = 25°C
L = 5.4mH ,我
L
= 7A , 1个脉冲
s
电气特性
(T
C
= 25°C)
参数
漏极到源极截止电流
门源漏电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏极至源极导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压
符号
I
DSS
I
GSS
V
DSS
V
th
R
DS ( ON)
| Y
fs
|
V
DSF
C
OSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
GS
= 10V ,我
D
= 5A
V
DD
= 150V ,R
L
= 30Ω
条件
V
DS
= 400V, V
GS
= 0
V
GS
= ±30V, V
DS
= 0
I
D
= 1mA时, V
GS
= 0
V
DS
= 25V ,我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ,我
D
= 4A
V
DS
= 25V ,我
D
= 4A
I
DR
= 7A ,V
GS
= 0
1200
V
DS
= 20V, V
GS
= 0中,f = 1MHz的
160
70
30
70
140
60
3
500
2
0.7
5
−1.6
5
1
典型值
最大
0.1
±1
单位
mA
µA
V
V
S
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
输入电容(共源)C
国际空间站
输出电容(共源)
反向传输电容(共源)C
RSS
开启时间(延迟时间)
上升时间
关断时间(延迟时间)
下降时间
1