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    2SD965 参数 Datasheet PDF下载

    2SD965图片预览
    型号： 2SD965
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅外延平面型（对于低频功率放大） [Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification)]
    分类和应用： 晶体晶体管开关
    文件页数/大小： 2 页 / 42 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SD965的Datasheet PDF文件第1页  
    晶体管
    P
    C
    - TA
    1.0
    2.4
    Ta=25˚C
    I
    B
    =7mA
    6mA
    1.6
    5mA
    1.2
    4mA
    3mA
    0.8
    2mA
    0.4
    2SD965
    I
    C
    — V
    CE
    6
    V
    CE
    =2V
    5
    25˚C
    I
    C
    — V
    BE
    集电极耗散功率P
    C
    (W)
    集电极电流I
    C
    (A)
    集电极电流I
    C
    (A)
    0.8
    2.0
    Ta=75˚C
    4
    –25˚C
    0.6
    3
    0.4
    2
    0.2
    1mA
    1
    0
    0
    20
    40
    60
    80 100 120 140 160
    0
    0
    0.4
    0.8
    1.2
    1.6
    2.0
    2.4
    0
    0
    0.4
    0.8
    1.2
    1.6
    2.0
    环境温度Ta （C ）
    集电极到发射极电压V
    CE
    (V)
    基极至发射极电压V
    BE
    (V)
    V
    CE （ SAT ）
    — I
    C
    集电极到发射极饱和电压V
    CE （ SAT ）
    (V)
    10
    3
    1
    0.3
    0.1
    0.03
    0.01
    0.003
    0.001
    0.01 0.03
    V
    BE （ SAT ）
    — I
    C
    基地发射极饱和电压V
    BE （ SAT ）
    (V)
    I
    C
    /I
    B
    =30
    100
    30
    10
    3
    1
    0.3
    0.1
    0.03
    0.01
    0.01 0.03
    Ta=–25˚C
    75˚C
    I
    C
    /I
    B
    =30
    600
    h
    FE
    — I
    C
    V
    CE
    =2V
    Ta=25˚C
    500
    Ta=75˚C
    400
    25˚C
    300
    –25˚C
    200
    Ta=75˚C
    25˚C
    –25˚C
    25˚C
    正向电流传输比H
    FE
    3
    10
    100
    0.1
    0.3
    1
    3
    10
    0.1
    0.3
    1
    0
    0.01 0.03
    0.1
    0.3
    1
    3
    10
    集电极电流I
    C
    (A)
    集电极电流I
    C
    (A)
    集电极电流I
    C
    (A)
    f
    T
    — I
    E
    400
    350
    300
    250
    200
    150
    100
    50
    0
    – 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
    100
    C
    ob
    — V
    CB
    集电极输出电容C
    ob
    （PF ）
    V
    CB
    =6V
    Ta=25˚C
    I
    E
    =0
    f=1MHz
    Ta=25˚C
    安全操作区（ ASO ）
    100
    30
    单脉冲
    Ta=25˚C
    过渡频率f
    T
    （兆赫）
    集电极电流I
    C
    (A)
    80
    10 I
    CP
    I
    C
    3
    t=1s
    1
    0.3
    0.1
    0.03
    t=10ms
    60
    40
    20
    0
    –1
    –3
    –10
    1
    3
    10
    30
    100
    0.01
    0.1
    0.3
    1
    3
    10
    30
    100
    发射极电流I
    E
    (A)
    集电极基极电压V
    CB
    (V)
    集电极到发射极电压V
    CE
    (V)
    2

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