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2SD965 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SD965
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内容描述: NPN硅外延平面型(对于低频功率放大) [Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification)]
分类和应用: 晶体晶体管开关
文件页数/大小: 2 页 / 42 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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晶体管
2SD965
NPN硅外延平面型
对于低频功率放大
对于频闪仪
5.0±0.2
单位:mm
4.0±0.2
q
q
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
(Ta=25˚C)
评级
40
20
7
8
5
0.75
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
W
˚C
˚C
2.54±0.15
1 2 3
0.45
–0.1
1.27
+0.2
13.5±0.5
低集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
.
在高效率运转良好表现
低电压电源。
5.1±0.2
s
特点
0.45
–0.1
1.27
+0.2
2.3±0.2
1 :发射器
2 :收藏家
3 :基本
JEDEC : TO- 92
EIAJ : SC- 43A
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(Ta=25˚C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE1*1
h
FE2
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
条件
V
CB
= 10V ,我
E
= 0
V
CE
= 10V ,我
B
= 0
V
EB
= 7V ,我
C
= 0
I
C
= 1mA时,我
B
= 0
I
E
= 10μA ,我
C
= 0
V
CE
= 2V ,我
C
= 0.5A
*2
V
CE
= 2V ,我
C
= 2A
*2
I
C
= 3A ,我
B
= 0.1A
*2
V
CB
= 6V ,我
E
= -50mA , F = 200MHz的
V
CB
= 20V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
*2
典型值
最大
0.1
1.0
0.1
单位
µA
µA
µA
V
V
20
7
230
150
1
150
50
600
V
兆赫
pF
脉冲测量
*1
h
FE1
等级分类
Q
230 ~ 380
R
340 ~ 600
h
FE1
1