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2SD2375 参数 Datasheet PDF下载

2SD2375图片预览
型号: 2SD2375
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内容描述: 硅NPN三重扩散平面型(适用于功率放大具有较高的正向电流传输比) [Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification with high forward current transfer ratio)]
分类和应用: 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
文件页数/大小: 2 页 / 46 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2SD2375的Datasheet PDF文件第1页  
功率晶体管
P
C
- TA
40
1.0
(1) T
C
= TA
(2)不带散热片
(P
C
=2W)
I
B
= 1.0毫安牛逼
C
=25˚C
0.9mA
0.8
4
2SD2375
I
C
— V
CE
5
V
CE
=5V
T
C
=25˚C
I
C
— V
BE
集电极耗散功率P
C
(W)
36
32
28
(1)
24
20
16
12
8
4 (2)
0
0
20
40
60
集电极电流I
C
(A)
0.7mA
0.6
0.6mA
0.5mA
0.4
0.4mA
0.3mA
0.2
0.2mA
0.1mA
0
集电极电流I
C
(A)
0.8mA
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
80 100 120 140 160
环境温度Ta (C )
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
V
CE ( SAT )
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.01 0.03
I
C
/I
B
=40
T
C
=25˚C
10000
h
FE
— I
C
1000
V
CE
=4V
T
C
=25˚C
300
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.01 0.03
f
T
— I
C
V
CE
=12V
f=10MHz
T
C
=25˚C
正向电流传输比H
FE
1000
300
100
30
10
3
1
0.01 0.03
0.1
0.3
1
3
10
0.1
0.3
1
3
10
过渡频率f
T
(兆赫)
3000
0.1
0.3
1
3
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
安全操作区( ASO )
100
30
10
3
非重复脉冲
T
C
=25˚C
R
日(T )
— t
( 1 )不带散热片
(2)在一个100
×
80
×
2毫米铝散热片
热阻R
th
(吨)( C / W)
集电极电流I
C
(A)
10
2
(1)
(2)
10 I
CP
t=1ms
3
1
DC
0.3
0.1
0.03
0.01
1
3
10
30
100
300
1000
10ms
I
C
10
1
10
–1
10
–2
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
10
2
10
3
10
4
集电极到发射极电压V
CE
(V)
时间t (S )
2