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2SD2375 参数 Datasheet PDF下载

2SD2375图片预览
型号: 2SD2375
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内容描述: 硅NPN三重扩散平面型(适用于功率放大具有较高的正向电流传输比) [Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification with high forward current transfer ratio)]
分类和应用: 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
文件页数/大小: 2 页 / 46 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2SD2375的Datasheet PDF文件第2页  
功率晶体管
2SD2375
硅NPN三重扩散平面型
对于功放的高正向电流传输比
单位:mm
s
特点
q
q
9.9±0.3
3.0±0.5
4.6±0.2
2.9±0.2
高正向电流传输比H
FE
它具有良好的
线性
可与被安装在散热片的全包包
一颗螺丝
(T
C
=25˚C)
评级
80
60
6
6
3
1
25
2
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
A
W
˚C
˚C
15.0±0.5
φ3.2±0.1
13.7±0.2
4.2±0.2
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
基极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
Ta=25°C
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
1.4±0.2
1.6±0.2
0.8±0.1
2.6±0.1
0.55±0.15
1
2
2.54±0.3
3 5.08±0.5
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
TO- 220D全包套餐
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极到发射极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
(T
C
=25˚C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
首席执行官
h
FE *
V
CE ( SAT )
f
T
条件
V
CB
= 80V ,我
E
= 0
V
CE
= 40V ,我
B
= 0
V
EB
= 6V ,我
C
= 0
I
C
= 25毫安,我
B
= 0
V
CE
= 4V ,我
C
= 0.5A
I
C
= 2A ,我
B
= 0.05A
V
CE
= 12V,我
C
= 0.2A , F = 10MHz时
50
60
500
1500
1
V
兆赫
典型值
最大
100
100
100
单位
µA
µA
µA
V
*
h
FE
等级分类
Q
P
h
FE
500 〜1000 800 〜1500
注:订货可以通过共同的秩进行PQ(秩​​ħ
FE
= 500〜 1500) ,在等级分级。
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