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2SD2029 参数 Datasheet PDF下载

2SD2029图片预览
型号: 2SD2029
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内容描述: 硅NPN三重扩散平面型(适用于高功率放大) [Silicon NPN triple diffusion planar type(For high power amplification)]
分类和应用: 晶体晶体管功率双极晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 57 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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功率晶体管
P
C
- TA
200
20
(1) T
C
= TA
(2)在一个100
×
100
×
2mm
铝散热器
( 3 )不带散热片
(P
C
=3.5W)
(1)
100
2SD2029
I
C
— V
CE
I
B
=800mA
20
700mA
600mA
500mA
400mA
T
C
=25˚C
V
CE
=5V
I
C
— V
BE
集电极耗散功率P
C
(W)
集电极电流I
C
(A)
150
集电极电流I
C
(A)
16
16
T
C
=–25˚C
12
25˚C
100˚C
300mA
12
200mA
8
100mA
8
50
4
(2)
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
(3)
0
0
2
4
6
8
50mA
4
0
10
12
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
环境温度Ta (C )
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
V
CE ( SAT )
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
10
I
C
/I
B
=10
3
T
C
=100˚C
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.003
0.001
0.1
25˚C
–25˚C
10000
h
FE
— I
C
1000
V
CE
=5V
300
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.01 0.03
f
T
— I
C
V
CE
=5V
f=1MHz
T
C
=25˚C
正向电流传输比H
FE
1000
300
T
C
=100˚C
100
25˚C
30
10
3
1
0.1
–25˚C
0.3
1
3
10
30
100
0.3
1
3
10
30
100
过渡频率f
T
(兆赫)
3000
0.1
0.3
1
3
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
C
ob
— V
CB
10000
安全操作区( ASO )
100
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25˚C
30 I
CP
非重复脉冲
T
C
=25˚C
t=10ms
集电极输出电容C
ob
(PF )
3000
集电极电流I
C
(A)
10 I
C
3
1
0.3
0.1
0.03
100ms
DC
1000
300
100
30
10
1
3
10
30
100
0.01
1
3
10
30
100
300
1000
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2