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2SD2029 参数 Datasheet PDF下载

2SD2029图片预览
型号: 2SD2029
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内容描述: 硅NPN三重扩散平面型(适用于高功率放大) [Silicon NPN triple diffusion planar type(For high power amplification)]
分类和应用: 晶体晶体管功率双极晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 57 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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功率晶体管
2SD2029
硅NPN三重扩散平面型
对于高功率放大
补充2SB1347
20.0±0.5
单位:mm
φ
3.3±0.2
5.0±0.3
3.0
6.0
s
特点
q
q
q
q
满意盼着电流传输比H
FE
集电极电流I
C
特征
安全运行的广域( ASO )
高转换频率f
T
最佳的高保真音频放大器的输出级
(T
C
=25˚C)
评级
160
160
5
20
12
120
3.5
150
-55〜 155
单位
V
V
V
A
26.0±0.5
10.0
1.5
2.0
4.0
1.5
浸焊
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
Ta=25°C
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
20.0±0.5
2.5
2.0±0.3
3.0±0.3
1.0±0.2
2.7±0.3
0.6±0.2
5.45±0.3
10.9±0.5
1
2
3
A
W
˚C
˚C
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
TOP- 3L包装
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
(T
C
=25˚C)
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2*
h
FE3
V
BE
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
条件
V
CB
= 160V ,我
E
= 0
V
EB
= 3V ,我
C
= 0
V
CE
= 5V ,我
C
= 20mA下
V
CE
= 5V ,我
C
= 1A
V
CE
= 5V ,我
C
= 8A
V
CE
= 5V ,我
C
= 8A
I
C
= 8A ,我
B
= 0.8A
V
CE
= 5V ,我
C
= 0.5A , F = 1MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
20
210
20
60
20
1.8
2.0
V
V
兆赫
pF
200
典型值
最大
50
50
单位
µA
µA
正向电流传输比
基地发射极电压
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
*
h
FE2
等级分类
Q
60至120
S
80至160
P
100至200
h
FE2
2.0
1.5
3.0
1