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2SD1275 参数 Datasheet PDF下载

2SD1275图片预览
型号: 2SD1275
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内容描述: 硅NPN三重扩散平面型达林顿(对于功率放大) [Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For power amplification)]
分类和应用: 晶体晶体管功率双极晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 64 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2SD1275的Datasheet PDF文件第1页  
功率晶体管
P
C
- TA
50
5
(1) T
C
= TA
(2)在一个100
×
100
×
2mm
铝散热器
(3)同一个50
×
50
×
2mm
铝散热器
( 4 )不带散热片
(P
C
=2W)
T
C
=25˚C
2SD1275 , 2SD1275A
I
C
— V
CE
10
V
CE
=4V
I
C
— V
BE
集电极耗散功率P
C
(W)
集电极电流I
C
(A)
(1)
30
集电极电流I
C
(A)
40
4
I
B
=2.0mA
1.8mA
1.6mA
1.4mA
1.2mA
1.0mA
0.8mA
0.6mA
0.4mA
0.2mA
8
25˚C
T
C
=100˚C
6
–25˚C
3
20
2
4
10
(2)
(3)
(4)
1
2
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
环境温度Ta (C )
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
V
CE ( SAT )
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
100
I
C
/I
B
=250
30
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.01 0.03
T
C
=–25˚C
100˚C
25˚C
10
5
h
FE
— I
C
10000
C
ob
— V
CB
集电极输出电容C
ob
(PF )
V
CE
=4V
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25˚C
正向电流传输比H
FE
3000
1000
300
100
30
10
3
1
0.1
10
4
T
C
=100˚C
10
3
25˚C
–25˚C
10
2
0.1
0.3
1
3
10
10
0.01 0.03
0.1
0.3
1
3
10
0.3
1
3
10
30
100
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极基极电压V
CB
(V)
安全操作区( ASO )
100
30
10
3
非重复脉冲
T
C
=25˚C
R
日(T )
— t
( 1 )不带散热片
(2)在一个100
×
100
×
2毫米铝散热片
(1)
热阻R
th
(吨)( C / W)
集电极电流I
C
(A)
10
2
10
I
CP
3
I
C
1
0.3
0.1
0.03
0.01
1
3
10
30
DC
1ms
t=10ms
10
(2)
1
2SD1275A
2SD1275
10
–1
100
300
1000
10
–2
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
10
2
10
3
10
4
集电极到发射极电压V
CE
(V)
时间t (S )
2