欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2SD1275 参数 Datasheet PDF下载

2SD1275图片预览
型号: 2SD1275
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 硅NPN三重扩散平面型达林顿(对于功率放大) [Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For power amplification)]
分类和应用: 晶体晶体管功率双极晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 64 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2SD1275的Datasheet PDF文件第2页  
功率晶体管
2SD1275 , 2SD1275A
硅NPN三重扩散平面型达林顿
进行功率放大
补充2SB949和2SB949A
0.7±0.1
单位:mm
10.0±0.2
5.5±0.2
2.7±0.2
4.2±0.2
4.2±0.2
q
q
16.7±0.3
q
高盼着电流传输比H
FE
高速开关
可与被安装在散热片的全包包
一颗螺丝
(T
C
=25˚C)
评级
60
80
60
80
5
4
2
35
2
150
-55到+150
单位
V
7.5±0.2
s
特点
φ3.1±0.1
4.0
14.0±0.5
s
绝对最大额定值
参数
集电极
基极电压
集电极
2SD1275
2SD1275A
2SD1275
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
1.4±0.1
1.3±0.2
浸焊
0.5
–0.1
0.8±0.1
+0.2
2.54±0.25
5.08±0.5
发射极电压2SD1275A
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
Ta=25°C
结温
储存温度
V
V
A
A
W
B
1
2
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
TO- 220全包套餐(一)
3
内部连接
C
˚C
˚C
E
s
电气特性
(T
C
=25˚C)
参数
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
2SD1275
2SD1275A
V
首席执行官
h
FE1
h
FE2*
V
BE
V
CE ( SAT )
f
T
t
on
t
英镑
t
f
条件
V
CB
= 60V ,我
E
= 0
V
CB
= 80V ,我
E
= 0
V
CE
= 30V ,我
B
= 0
V
CE
= 40V ,我
B
= 0
V
EB
= 5V ,我
C
= 0
I
C
= 30mA时我
B
= 0
V
CE
= 4V ,我
C
= 1A
V
CE
= 4V ,我
C
= 2A
V
CE
= 4V ,我
C
= 2A
I
C
= 2A ,我
B
= 8毫安
V
CE
= 10V ,我
C
= 0.5A , F = 1MHz的
I
C
= 2A ,我
B1
= 8毫安,我
B2
= -8mA ,
V
CC
= 50V
20
0.5
4
1
60
80
1000
2000
10000
2.8
2.5
V
V
兆赫
µs
µs
µs
典型值
最大
1
1
2
2
2
单位
mA
2SD1275
2SD1275A
2SD1275
2SD1275A
集电极截止
当前
集电极截止
当前
发射Cuto FF电流
集电极到发射极
电压
mA
mA
V
正向电流传输比
基地发射极电压
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
*
h
FE2
等级分类
Q
P
2000〜 5000 4000 〜10000
h
FE2
1