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2SC3795 参数 Datasheet PDF下载

2SC3795图片预览
型号: 2SC3795
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内容描述: 硅NPN三重扩散平面类型(高击穿电压高速开关) [Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching)]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率双极晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 65 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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功率晶体管
P
C
- TA
80
8
(1) T
C
= TA
(2)在一个100
×
100
×
2mm
铝散热器
( 3 )不带散热片
(P
C
=2.0W)
T
C
=25˚C
7
2SC3795 , 2SC3795A
I
C
— V
CE
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
100
I
C
/I
B
=5
30
10
3
1
0.3
–25˚C
0.1
0.03
0.01
0.01 0.03
25˚C
T
C
=100˚C
V
CE ( SAT )
— I
C
集电极耗散功率P
C
(W)
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
(2)
(3)
(1)
集电极电流I
C
(A)
6
5
4
3
2
1
0
I
B
=1200mA
1000mA
800mA
600mA
400mA
300mA
200mA
150mA
100mA
50mA
20mA
60
80 100 120 140 160
0
2
4
6
8
10
0.1
0.3
1
3
10
环境温度Ta (C )
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
BE ( SAT )
— I
C
100
1000
I
C
/I
B
=5
30
10
3
25˚C
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.01 0.03
T
C
=–25˚C
100˚C
h
FE
— I
C
1000
V
CE
=5V
300
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.01 0.03
f
T
— I
C
V
CE
=10V
f=1MHz
T
C
=25˚C
基地发射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
正向电流传输比H
FE
100
T
C
=100˚C
30
–25˚C
10
3
1
0.3
0.1
0.01 0.03
25˚C
0.1
0.3
1
3
10
0.1
0.3
1
3
10
过渡频率f
T
(兆赫)
300
0.1
0.3
1
3
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
C
ob
— V
CB
10000
100
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25˚C
30
t
on
, t
英镑
, t
f
— I
C
脉冲吨
w
=1ms
占空比= 1 %
I
C
/I
B
=5
(I
B1
=–I
B2
)
V
CC
=200V
T
C
=25˚C
t
英镑
t
on
t
f
0.3
0.1
0.03
0.01
安全操作区( ASO )
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
非重复脉冲
0.003 T = 25℃
C
I
CP
I
C
10ms
DC
t=0.5ms
1ms
集电极输出电容C
ob
(PF )
3000
1000
300
100
30
10
3
1
0.1
开关时间t
on
,t
英镑
,t
f
(
µs
)
10
3
1
集电极电流I
C
(A)
0.3
1
3
10
30
100
0
1
2
3
4
5
6
7
8
1
3
10
30
100
300
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极电流I
C
(A)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
2SC3795/2SC3795A
1000