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2SC3795 参数 Datasheet PDF下载

2SC3795图片预览
型号: 2SC3795
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内容描述: 硅NPN三重扩散平面类型(高击穿电压高速开关) [Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching)]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率双极晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 65 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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功率晶体管
2SC3795 , 2SC3795A
硅NPN三重扩散平面型
对于高击穿电压的高速开关
s
特点
q
q
q
q
参数
集电极
基极电压
集电极
2SC3795
2SC3795A
2SC3795
符号
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
I
B
评级
800
900
800
900
500
8
10
5
3
40
2
150
-55到+150
单位
V
16.7±0.3
s
绝对最大额定值
(T
C
=25˚C)
7.5±0.2
φ3.1±0.1
4.2±0.2
高速开关
高集电极到基极电压V
CBO
低集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
可与被安装在散热片的全包包
一颗螺丝
单位:mm
0.7±0.1
10.0±0.2
5.5±0.2
2.7±0.2
4.2±0.2
4.0
1.4±0.1
1.3±0.2
浸焊
发射极电压2SC3795A
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
基极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
Ta=25°C
结温
储存温度
14.0±0.5
V
V
V
A
A
A
W
˚C
˚C
0.5
+0.2
–0.1
0.8±0.1
2.54±0.25
5.08±0.5
1
2
3
P
C
T
j
T
英镑
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
TO- 220全包套餐(一)
s
电气特性
参数
集电极截止
当前
发射Cuto FF电流
集电极到发射极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
*
V
CEO ( SUS )
(T
C
=25˚C)
符号
I
CBO
I
EBO
V
CEO ( SUS) *
h
FE1
h
FE2
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
条件
V
CB
= 800V ,我
E
= 0
V
CB
= 900V ,我
E
= 0
V
EB
= 5V ,我
C
= 0
I
C
= 0.2A ,L = 25mH
V
CE
= 5V ,我
C
= 0.1A
V
CE
= 5V ,我
C
= 3A
I
C
= 3A ,我
B
= 0.6A
I
C
= 3A ,我
B
= 0.6A
V
CE
= 10V ,我
C
= 0.5A , F = 1MHz的
8
1
I
C
= 3A ,我
B1
= 0.6A ,我
B2
= – 0.6A,
V
CC
= 200V
1.2
3
1
1.2
X
L 25mH
典型值
最大
100
100
100
单位
µA
µA
V
2SC3795
2SC3795A
500
15
8
1
1.5
V
V
兆赫
µs
µs
µs
2SC3795
2SC3795A
t
on
t
英镑
2SC3795
2SC3795A
t
f
测试电路
50/60Hz
水银继电器
120Ω
6V
1Ω
15V
Y
G
1