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2SC3757 参数 Datasheet PDF下载

2SC3757图片预览
型号: 2SC3757
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内容描述: NPN硅外延平面型(对于高速切换) [Silicon NPN epitaxial planer type(For high speed switching)]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 67 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2SC3757的Datasheet PDF文件第1页  
2SC3757
开关时间测量电路
t
on
, t
关闭
测试电路
0.1
µF
V
OUT
V
IN
=
10 V 3.3 kΩ的
50
220
50
V
CC
=
3 V
V
IN
=
10 V
50
A
910
500
500
V
DD
=
2 V
晶体管
P
C
T
a
t
英镑
测试电路
0.1
µF
V
OUT
1 kΩ
90
V
CC
=
10 V
240
集电极耗散功率P
C
( mW)的
200
160
3.3 kΩ
V
DD
= −3
V
120
V
IN
V
OUT
10%
V
IN
10%
90%
0
V
IN
V
OUT
80
10%
10%
t
英镑
90% V
OUT
t
on
t
关闭
40
0
(波形A处)
0
40
80
120
160
环境温度T
a
(°C)
I
C
V
CE
集电极到发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
(V)
120
T
a
=
25°C
I
B
=
3.0毫安
2.5毫安
2.0毫安
1.5毫安
60
1.0毫安
40
0.5毫安
20
100
30
10
3
1
V
CE ( SAT )
I
C
基地发射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
I
C
/
I
B
=
10
100
30
10
3
1
V
BE ( SAT )
I
C
100
集电极电流I
C
(MA )
80
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
25°C
T
a
=
75°C
−25°C
T
a
= −25°C
25°C
75°C
0.3
0.1
0.03
0.01
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
300
1 000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
h
FE
I
C
600
V
CE
=
1 V
f
T
I
E
600
6
C
ob
V
CB
集电极输出电容C
ob
(PF )
V
CB
=
10 V
T
a
=
25°C
I
E
=
0
f
=
1兆赫
T
a
=
25°C
正向电流传输比H
FE
过渡频率f
T
(兆赫)
500
500
5
400
400
4
300
300
3
200
T
a
=
75°C
25°C
−25°C
200
2
100
100
1
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
0
−1
−3
−10
−30
−100 −300 −1
000
0
1
3
10
30
100
集电极电流I
C
(MA )
发射极电流I
E
(MA )
集电极基极电压V
CB
(V)
2