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    2SC3757 参数 Datasheet PDF下载

    2SC3757图片预览
    型号： 2SC3757
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅外延平面型（对于高速切换） [Silicon NPN epitaxial planer type(For high speed switching)]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 2 页 / 67 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SC3757的Datasheet PDF文件第2页  
    晶体管
    2SC3757
    NPN硅外延平面型
    单位：mm
    对于高速开关
    I
    特点
    •
    高速开关
    •
    低集电极到发射极饱和电压V
    CE （ SAT ）
    •
    迷你型封装，设备，允许小型化，
    通过带包装盒自动插入
    包装。
    •
    允许与2SA1738对使用
    1
    0.40
    +0.10
    –0.05
    3
    0.16
    +0.10
    –0.06
    1.50
    +0.25
    –0.05
    2.8
    +0.2
    –0.3
    2
    (0.95) (0.95)
    1.9
    ±0.1
    2.90
    +0.20
    –0.05
    10°
    1.1
    +0.2
    –0.1
    (0.65)
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    峰值集电极电流
    集电极电流
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    CES
    V
    EBO
    I
    CP
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    等级
    40
    40
    5
    300
    100
    200
    150
    −55
    to
    +150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mA
    mW
    °C
    °C
    1 ：基本
    2 ：发射器
    3 ：收藏家
    0-0.1
    I
    绝对最大额定值
    T
    a
    =
    25°C
    1.1
    +0.3
    –0.1
    JEDEC ： TO- 236
    EIAJ ： SC- 59
    迷你型包装
    标记符号： 2Y
    I
    电气特性
    T
    a
    =
    25°C
    ±
    3°C
    参数
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    正向电流传输比
    *
    集电极到发射极饱和电压
    基地发射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    开启时间
    打开-O FF时间
    贮存时间
    注） *：等级分类
    秩
    h
    FE
    标记符号
    Q
    60至120
    2YQ
    R
    90至200
    2YR
    符号
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    t
    on
    t
    关闭
    t
    英镑
    Refere到测量电路
    条件
    V
    CB
    =
    15 V，I
    E
    =
    0
    V
    EB
    =
    4 V，I
    C
    =
    0
    V
    CE
    =
    1 V，I
    C
    =
    10毫安
    I
    C
    =
    10毫安，我
    B
    =
    1毫安
    I
    C
    =
    10毫安，我
    B
    =
    1毫安
    V
    CB
    =
    10 V，I
    E
    = −10
    毫安，女
    =
    200兆赫
    V
    CB
    =
    10 V，I
    E
    =
    0, f
    =
    1兆赫
    450
    2
    17
    17
    10
    6
    60
    0.17
    民
    典型值
    最大
    0.1
    0.1
    200
    0.25
    1.0
    V
    V
    兆赫
    pF
    ns
    ns
    ns
    单位
    µA
    µA
    0.4
    ±0.2
    5°
    1

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