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    2SC3130 参数 Datasheet PDF下载

    2SC3130图片预览
    型号： 2SC3130
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅外延平面型（适用于高频放大/振荡/混合） [Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification/oscillation/mixing)]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 2 页 / 39 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SC3130的Datasheet PDF文件第1页  
    晶体管
    P
    C
    - TA
    200
    80
    T
    C
    = TA
    70
    Ta=25˚C
    50
    2SC3130
    I
    C
    — V
    CE
    60
    V
    CE
    =4V
    25˚C
    I
    C
    — V
    BE
    集电极耗散功率P
    C
    （ mW）的
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    60
    50
    40
    30
    200µA
    20
    100µA
    10
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    160
    Ta=75˚C
    40
    –25˚C
    120
    I
    B
    =500µA
    400µA
    300µA
    30
    80
    20
    40
    10
    0
    0
    20
    40
    60
    80 100 120 140 160
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    12
    0
    0
    0.4
    0.8
    1.2
    1.6
    2.0
    环境温度Ta （C ）
    集电极到发射极电压V
    CE
    (V)
    基极至发射极电压V
    BE
    (V)
    V
    CE （ SAT ）
    — I
    C
    集电极到发射极饱和电压V
    CE （ SAT ）
    (V)
    100
    30
    10
    3
    1
    0.3
    0.1
    0.03
    0.01
    0.1
    25˚C
    –25˚C
    Ta=75˚C
    I
    C
    /I
    B
    =10
    360
    h
    FE
    — I
    C
    4.0
    V
    CE
    =4V
    f
    T
    — I
    E
    V
    CB
    =4V
    Ta=25˚C
    正向电流传输比H
    FE
    300
    Ta=75˚C
    240
    过渡频率f
    T
    （千兆赫）
    10
    30
    100
    3.5
    3.0
    2.5
    2.0
    1.5
    1.0
    0.5
    180
    25˚C
    120
    –25˚C
    60
    0.3
    1
    3
    10
    30
    100
    0
    0.1
    0.3
    1
    3
    0
    – 0.1 – 0.3
    –1
    –3
    –10
    –30
    –100
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    发射极电流I
    E
    （MA ）
    C
    ob
    — V
    CB
    1.6
    集电极输出电容C
    ob
    （PF ）
    1.4
    1.2
    1.0
    0.8
    0.6
    0.4
    0.2
    0
    1
    3
    10
    I
    E
    =0
    f=1MHz
    Ta=25˚C
    30
    100
    集电极基极电压V
    CB
    (V)
    2

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