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    2SC3130 参数 Datasheet PDF下载

    2SC3130图片预览
    型号： 2SC3130
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅外延平面型（适用于高频放大/振荡/混合） [Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification/oscillation/mixing)]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 2 页 / 39 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SC3130的Datasheet PDF文件第2页  
    晶体管
    2SC3130
    NPN硅外延平面型
    用于高频放大/振荡/混合
    单位：mm
    2.8
    –0.3
    +0.2
    s
    特点
    q
    q
    0.65±0.15
    +0.25
    1.5
    –0.05
    0.65±0.15
    0.95
    q
    高转换频率f
    T
    .
    小集电极输出电容C
    ob
    和常见的反基地
    传输电容C
    rb
    .
    迷你型封装，设备，允许小型化，
    通过带包装盒自动插入
    包装。
    0.95
    2.9
    –0.05
    1
    1.9±0.2
    +0.2
    3
    0.4
    –0.05
    +0.1
    2
    1.45
    +0.2
    1.1
    –0.1
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    评级
    15
    10
    3
    50
    150
    150
    –55 ~ +150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ˚C
    ˚C
    1 ：基本
    2 ：发射器
    3 ：收藏家
    JEDEC ： TO- 236
    EIAJ ： SC- 59
    迷你型包装
    标记符号：
    1S
    s
    电气特性
    参数
    收藏家Cuto FF电流
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    正向电流传输比
    集电极到发射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    基本时间常数
    共发射极反向传输电容
    h
    FE
    比
    (Ta=25˚C)
    符号
    I
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    h
    FE *
    V
    CE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    r
    bb
    ' · C
    C
    C
    rb
    ∆h
    FE
    条件
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = 0
    I
    C
    = 2毫安，我
    B
    = 0
    I
    E
    = 10μA ，我
    C
    = 0
    V
    CE
    = 4V ，我
    C
    = 5毫安
    I
    C
    = 20mA时，我
    B
    = 4毫安
    V
    CB
    = 4V ，我
    E
    = -5mA中，f = 200MHz的
    V
    CB
    = 4V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    V
    CB
    = 4V ，我
    E
    = -5mA ， F = 31.9MHz
    V
    CB
    = 4V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    V
    CE
    = 4V ，我
    C
    = 100µA
    V
    CE
    = 4V ，我
    C
    = 5毫安
    0.75
    1.4
    1.9
    1.4
    11
    0.45
    1.6
    10
    3
    75
    200
    400
    0.5
    2.5
    V
    GHz的
    pF
    ps
    pF
    民
    典型值
    最大
    1
    单位
    µA
    V
    V
    *
    h
    FE
    等级分类
    秩
    h
    FE
    P
    75 ~ 130
    1SP
    Q
    110 ~ 220
    1SQ
    R
    200 ~ 400
    1SR
    标记符号
    0-0.1
    s
    绝对最大额定值
    (Ta=25˚C)
    为0.1〜 0.3
    0.4±0.2
    0.8
    0.16
    –0.06
    +0.1
    1

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