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    2SB968 参数 Datasheet PDF下载

    2SB968图片预览
    型号： 2SB968
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅外延平面型（对于低频输出放大） [Silicon PNP epitaxial planar type(For low-frequency output amplification)]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 3 页 / 56 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SB968的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SB968的Datasheet PDF文件第3页  
    功率晶体管
    P
    C
    - TA
    32
    –4.0
    T
    C
    = TA
    28
    –3.5
    2SB968
    I
    C
    — V
    CE
    T
    C
    =25˚C
    I
    B
    =–40mA
    –35mA
    V
    CE （ SAT ）
    — I
    C
    集电极到发射极饱和电压V
    CE （ SAT ）
    (V)
    –10
    I
    C
    /I
    B
    =10
    集电极耗散功率P
    C
    (W)
    集电极电流I
    C
    (A)
    24
    20
    16
    12
    8
    4
    0
    0
    20
    40
    60
    80 100 120 140 160
    –3.0
    –2.5
    –30mA
    –25mA
    –20mA
    –3
    –1
    –2.0
    –15mA
    –1.5
    –1.0
    –5mA
    –10mA
    – 0.3
    T
    C
    =100˚C
    25˚C
    –25˚C
    – 0.1
    – 0.5
    0
    0
    –2
    –4
    –6
    –8
    –10
    – 0.03
    – 0.01
    – 0.01 – 0.03
    – 0.1
    – 0.3
    –1
    –3
    环境温度Ta （C ）
    集电极到发射极电压V
    CE
    (V)
    集电极电流I
    C
    (A)
    V
    BE （ SAT ）
    — I
    C
    基地发射极饱和电压V
    BE （ SAT ）
    (V)
    –10
    I
    C
    /I
    B
    =10
    1000
    h
    FE
    — I
    C
    240
    V
    CE
    =–5V
    f
    T
    — I
    E
    V
    CB
    =–5V
    f=200MHz
    T
    C
    =25˚C
    正向电流传输比H
    FE
    过渡频率f
    T
    （兆赫）
    –3
    200
    –3
    T
    C
    =–25˚C
    100˚C
    25˚C
    300
    T
    C
    =100˚C
    25˚C
    160
    –1
    100
    –25˚C
    120
    – 0.3
    30
    – 0.1
    10
    80
    – 0.03
    3
    40
    – 0.01
    – 0.01 – 0.03
    – 0.1
    – 0.3
    –1
    –3
    1
    – 0.01 – 0.03
    – 0.1
    – 0.3
    –1
    0
    10
    30
    100
    300
    1000 3000 10000
    集电极电流I
    C
    (A)
    集电极电流I
    C
    (A)
    发射极电流I
    E
    （MA ）
    C
    ob
    — V
    CB
    150
    –120
    V
    CER
    — R
    BE
    1000
    T
    C
    =25˚C
    300
    I
    首席执行官
    - TA
    V
    CE
    =–12V
    集电极输出电容C
    ob
    （PF ）
    120
    集电极到发射极电压V
    CER
    (V)
    I
    E
    =0
    f=1MHz
    T
    C
    =25˚C
    –100
    –80
    I
    首席执行官
    （TA）
    I
    首席执行官
    (Ta=25˚C)
    0.01
    0.1
    1
    10
    100
    90
    –60
    30
    60
    –40
    10
    30
    –20
    3
    0
    –1
    –3
    –10
    –30
    –100
    0
    0.001
    1
    0
    20
    40
    60
    80
    100
    120
    集电极基极电压V
    CB
    (V)
    基极 - 射极电阻R
    BE
    (kΩ)
    环境温度Ta （C ）
    2

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