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    2SB968 参数 Datasheet PDF下载

    2SB968图片预览
    型号： 2SB968
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅外延平面型（对于低频输出放大） [Silicon PNP epitaxial planar type(For low-frequency output amplification)]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 3 页 / 56 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SB968的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB968的Datasheet PDF文件第3页  
    功率晶体管
    2SB968
    PNP硅外延平面型
    单位：mm
    对于低频输出放大
    补充2SD1295
    7.3±0.1
    1.8±0.1
    6.5±0.1
    5.3±0.1
    4.35±0.1
    2.3±0.1
    0.5±0.1
    0.8max
    q
    q
    q
    可以直接焊接散热片到印刷cicuit板
    高集电极到发射极V
    首席执行官
    大集电极耗散功率P
    C
    2.5±0.1
    0.93±0.1
    1.0±0.1
    0.1±0.05
    0.5±0.1
    0.75±0.1
    2.3±0.1
    4.6±0.1
    s
    1
    2
    3
    绝对最大额定值
    (Ta=25˚C)
    参数
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CP
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    评级
    –50
    –40
    –5
    –3
    –1.5
    20
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    0.6
    2.3
    2.3
    0.75
    6.5±0.2
    5.35
    4.35
    1 ：基本
    2 ：收藏家
    3 ：发射器
    U型套餐
    单位：mm
    发射器基极电压
    峰值集电极电流
    集电极电流
    集电极耗散功率（T
    C
    =25°C)
    结温
    储存温度
    ˚C
    ˚C
    1
    2
    3
    2.3±0.1
    0.5±0.1
    1 ：基本
    2 ：收藏家
    3 ：发射器
    EIAJ ： SC- 63
    U型封装（ Z）
    s
    电气特性
    参数
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    正向电流传输比
    集电极到发射极饱和电压
    基地发射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    (T
    C
    =25˚C)
    符号
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    h
    FE *
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    条件
    V
    CB
    = -20V ，我
    E
    = 0
    V
    CE
    = -10V ，我
    B
    = 0
    V
    EB
    = -5V ，我
    C
    = 0
    I
    C
    = -1mA ，我
    E
    = 0
    I
    C
    = -2mA ，我
    B
    = 0
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    = –1A
    I
    C
    = -1.5A ，我
    B
    = – 0.15A
    I
    C
    = -2A ，我
    B
    = – 0.2A
    V
    CB
    = -5V ，我
    E
    = 0.5A ， F = 200MHz的
    V
    CB
    = -20V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    150
    45
    –50
    –40
    50
    220
    –1
    –1.5
    V
    V
    兆赫
    pF
    民
    典型值
    最大
    –1
    –100
    –10
    单位
    µA
    µA
    µA
    V
    V
    *
    h
    FE
    等级分类
    P
    50至100
    Q
    80至160
    R
    120至220
    秩
    h
    FE
    6.0
    5.5±0.2
    13.3±0.3
    集电极到发射极电压
    1.8
    集电极 - 基极电压
    1.0±0.2
    s
    特点
    1

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