功率晶体管
P
C
- TA
200
–20
(1) T
C
= TA
（2）在一个100
×
100
×
2mm
铝散热器
（ 3 ）不带散热片
(P
C
=3W)
I
B
=–300mA
–16
–200mA
–12
–140mA
–100mA
–8
–80mA
–60mA
–4
(2)
(3)
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
–40mA
–20mA
T
C
=25˚C
2SB1156
I
C
— V
CE
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
–10
V
CE （ SAT ）
— I
C
(1) I
C
/I
B
=10
(2) I
C
/I
B
=20
T
C
=25˚C
集电极耗散功率P
C
(W)
集电极电流I
C
(A)
160
–3
120
(1)
80
–1
(2)
(1)
– 0.3
– 0.1
40
– 0.03
– 0.01
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
–100
–10
I
C
/I
B
=10
V
BE （ SAT ）
— I
C
基地发射极饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
I
C
/I
B
=10
1000
–30
–10
–3
–1
100˚C
25˚C
T
C
=–25˚C
h
FE
— I
C
V
CE
=–2V
–3
T
C
=100˚C
25˚C
正向电流传输比H
FE
300
T
C
=100˚C
25˚C
–1
100
–25˚C
30
– 0.3
–25˚C
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.1
10
– 0.03
3
– 0.01
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
– 0.01
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
1
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
f
T
— I
C
1000
300
100
30
10
3
1
0.3
0.1
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
0.01
–1
–3
–10
0
–1
V
CE
=–10V
f=10MHz
T
C
=25˚C
10
t
on
, t
英镑
, t
f
— I
C
安全操作区（ ASO ）
–100
–30
I
CP
I
C
–10
–3
–1
DC
非重复脉冲
T
C
=25˚C
t=1ms
10ms
过渡频率f
T
（兆赫）
开关时间t
on
,t
英镑
,t
f
(
µs
)
3
1
t
on
t
f
0.3
0.1
脉冲吨
w
=1ms
占空比= 1 ％
I
C
/I
B
=10
(–I
B1
=I
B2
)
V
CC
=–50V
T
C
=25˚C
–2
–3
–4
–5
–6
–7
–8
0.03
集电极电流I
C
(A)
t
英镑
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
