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    2SB1156 参数 Datasheet PDF下载

    2SB1156图片预览
    型号： 2SB1156
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅外延平面型（适用于功率开关） [Silicon PNP epitaxial planar type(For power switching)]
    分类和应用： 开关
    文件页数/大小： 3 页 / 63 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SB1156的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB1156的Datasheet PDF文件第3页  
    功率晶体管
    2SB1156
    PNP硅外延平面型
    对于开关电源
    补充2SD1707
    单位：mm
    s
    特点
    q
    q
    q
    q
    16.2±0.5
    12.5
    3.5
    浸焊
    s
    绝对最大额定值
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    峰值集电极电流
    集电极电流
    集电极电流T
    C
    =25°C
    耗散
    Ta=25°C
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CP
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    (T
    C
    =25˚C)
    评级
    –130
    –80
    –7
    –30
    –20
    100
    3
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    ˚C
    ˚C
    21.0±0.5
    15.0±0.2
    低集电极到发射极饱和电压V
    CE （ SAT ）
    的盼着电流传输比H良好的线性
    FE
    大的集电极电流I
    C
    可与被安装在散热片的全包包
    一颗螺丝
    0.7
    15.0±0.3
    11.0±0.2
    5.0±0.2
    3.2
    φ3.2±0.1
    2.0±0.2
    2.0±0.1
    1.1±0.1
    5.45±0.3
    10.9±0.5
    1
    2
    3
    0.6±0.2
    1 ：基本
    2 ：收藏家
    3 ：发射器
    TOP- 3全包套餐（一）
    s
    电气特性
    参数
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    集电极到发射极电压
    (T
    C
    =25˚C)
    符号
    I
    CBO
    I
    EBO
    V
    首席执行官
    h
    FE1
    h
    FE2*
    h
    FE3
    V
    CE(sat)1
    V
    CE(sat)2
    V
    BE(sat)1
    V
    BE(sat)2
    f
    T
    t
    on
    t
    英镑
    t
    f
    条件
    V
    CB
    = -100V ，我
    E
    = 0
    V
    EB
    = -5V ，我
    C
    = 0
    I
    C
    = -10mA ，我
    B
    = 0
    V
    CE
    = -2V ，我
    C
    = – 0.1A
    V
    CE
    = -2V ，我
    C
    = –3A
    V
    CE
    = -2V ，我
    C
    = –10A
    I
    C
    = -8A ，我
    B
    = – 0.4A
    I
    C
    = -20A ，我
    B
    = –2A
    I
    C
    = -8A ，我
    B
    = – 0.4A
    I
    C
    = -20A ，我
    B
    = –2A
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    = - 0.5A ， F = 10MHz时
    I
    C
    = -3A ，我
    B1
    = - 0.8A ，我
    B2
    = 0.8A,
    V
    CC
    = –50V
    25
    0.5
    1.2
    0.2
    –80
    45
    90
    30
    – 0.5
    –1.5
    –1.5
    –2.5
    V
    V
    V
    V
    兆赫
    µs
    µs
    µs
    260
    民
    典型值
    最大
    –10
    –50
    单位
    µA
    µA
    V
    正向电流传输比
    集电极到发射极饱和电压
    基地发射极饱和电压
    跃迁频率
    开启时间
    贮存时间
    下降时间
    *
    h
    FE2
    等级分类
    Q
    90至180
    P
    130〜 260
    秩
    h
    FE2
    注：订货可以通过共同的秩进行PQ（秩​​ħ
    FE2
    = 90〜 260 ）中的排名分类。
    1

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