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2SB1030A 参数 Datasheet PDF下载

2SB1030A图片预览
型号: 2SB1030A
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内容描述: PNP硅外延平面型(低频放大) [Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency amplification)]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管放大器
文件页数/大小: 2 页 / 41 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2SB1030A的Datasheet PDF文件第2页  
晶体管
2SB1030 , 2SB1030A
PNP硅外延平面型
对于低频放大
补充2SD1423和2SD1423A
4.0±0.2
单位:mm
s
特点
q
q
s
绝对最大额定值
参数
集电极
基极电压
集电极
2SB1030
2SB1030A
2SB1030
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
符号
(Ta=25˚C)
评级
–30
–60
–25
–50
–7
–1
– 0.5
300
150
–55 ~ +150
单位
记号
+0.2
0.45–0.1
15.6±0.5
0.7±0.1
最适合高密度安装。
让供应与径向录音。
3.0±0.2
V
1
2
3
发射极电压2SB1030A
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
V
1.27 1.27
V
A
A
mW
˚C
˚C
1 :发射器
2 :收藏家
3 :基本
2.54±0.15
EIAJ :SC- 72
新的S型套餐
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
收藏家基地
电压
集电极到发射极
电压
2SB1030
2SB1030A
2SB1030
2SB1030A
(Ta=25˚C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE1*1
h
FE2
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
条件
V
CB
= -20V ,我
E
= 0
V
CE
= -20V ,我
B
= 0
I
C
= -10μA ,我
E
= 0
I
C
= -2mA ,我
B
= 0
I
E
= -10μA ,我
C
= 0
V
CE
= -10V ,我
C
= -150mA
*2
V
CE
= -10V ,我
C
= -500mA
*2
I
C
= -300mA ,我
B
= -30mA
*2
V
CB
= -10V ,我
E
= 50mA时F = 200MHz的
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
–30
–60
–25
–50
–7
85
40
– 0.35
200
6
*2
典型值
最大
– 0.1
–1
2.0±0.2
单位
µA
µA
V
V
V
340
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
– 0.6
V
兆赫
15
pF
脉冲测量
*1
h
FE1
等级分类
Q
85 ~ 170
R
120 ~ 240
S
170 ~ 340
h
FE1
1