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2SB1011 参数 Datasheet PDF下载

2SB1011图片预览
型号: 2SB1011
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内容描述: PNP硅三重扩散平面型 [Silicon PNP triple diffusion planar type]
分类和应用: 晶体晶体管功率双极晶体管ISM频段放大器局域网
文件页数/大小: 4 页 / 87 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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2SB1011
P
C
T
a
1.6
无散热片
−120
I
C
V
CE
T
C
=25˚C
I
C
V
BE
−120
V
CE
=–5V
25˚C
集电极耗散功率P
C
(W)
−100
−100
–0.9mA
−80
集电极电流I
C
(MA )
1.2
集电极电流I
C
(MA )
T
C
=75˚C
–0.8mA
–0.7mA
I
B
=–1mA
−80
0.8
−60
–0.4mA
–0.6mA
–0.5mA
–0.3mA
–0.2mA
−60
−40
−40
–25˚C
0.4
−20
–0.1mA
−20
0
0
0
40
80
120
160
0
−2
−4
−6
−8
−10
−12
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
−1.0
环境温度T
a
(°C)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
−100
I
C
/I
B
=10
h
FE
I
C
240
V
CE
=–5V
f
T
I
E
120
V
CB
=–30V
f=200MHz
T
C
=25˚C
正向电流传输比H
FE
−10
Ta=75˚C
160
过渡频率f
T
(兆赫)
−10
−100
200
100
80
−1
T
C
=75˚C
25˚C
–25˚C
120
25˚C
–25˚C
60
80
40
0.1
40
20
0.01
0.1
−1
−10
−100
0
0.1
−1
0
1
10
100
1 000
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
发射极电流I
E
(MA )
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
30
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25˚C
SEFE作业区
−1
000
I
CP
单脉冲
T
C
=25˚C
t=10ms
25
集电极电流I
C
(A)
−100
t=100ms
I
C
t=1s
20
15
−10
10
−1
5
0.1
−1
0
−1
−10
−100
−10
−100
−1
000
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
2
SJD00036BED