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2SB1011 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SB1011
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内容描述: PNP硅三重扩散平面型 [Silicon PNP triple diffusion planar type]
分类和应用: 晶体晶体管功率双极晶体管ISM频段放大器局域网
文件页数/大小: 4 页 / 87 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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功率晶体管
2SB1011
PNP硅三重扩散平面型
对于低频输出放大
8.0
+0.5
–0.1
单位:mm
3.2
±0.2
特点
高集电极 - 基极电压(发射极开路)V
CBO
高集电极 - 发射极电压(基本开)V
首席执行官
大集电极耗散功率P
C
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
φ
3.16
±0.1
3.8
±0.3
11.0
±0.5
1.9
±0.1
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
−400
−400
−5
−100
−200
1.2
150
−55
to
+150
单位
V
V
V
1
2
3
0.75
±0.1
4.6
±0.2
0.5
±0.1
0.5
±0.1
2.3
±0.2
1.76
±0.1
mA
mA
W
°C
°C
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压( Emiter开)
集电极 - 发射极电压(基本开)
Emiter基极电压(集电极开路)
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(共同的基础,输入开路)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
条件
I
C
= −100 µA,
I
E
=
0
I
C
= −500 µA,
I
B
=
0
I
E
= −100 µA,
I
C
=
0
V
CE
= −5
V,I
C
= −30
mA
I
C
= −50
妈,我
B
= −5
mA
I
C
= −50
妈,我
B
= −5
mA
V
CB
= −30
V,I
E
=
20毫安,女
=
200兆赫
V
CB
= −30
V,I
E
=
0, f
=
1兆赫
70
9
−400
−400
−5
30
−2.5
−1.5
典型值
最大
单位
V
V
V
V
V
兆赫
pF
注)的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
16.0
±1.0
1 :发射器
2 :收藏家
3 :基本
TO- 126B -A1套餐
3.05
±0.1
出版日期: 2003年3月
SJD00036BED
1