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2SA886 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SA886
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内容描述: PNP硅外延平面型(对于低频功率放大互补) [Silicon PNP epitaxial planar type (For low-frequency power amplification Complementary)]
分类和应用: 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
文件页数/大小: 5 页 / 99 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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2SA0886
P
C
T
a
1.6
–4.0
–3.5
I
C
V
CE
T
C
=25˚C
I
B
=–40mA
–35mA
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
I
C
/I
B
=10
–10
集电极耗散功率P
C
(W)
集电极电流I
C
(A)
1.2
–3.0
–2.5
–30mA
–25mA
–20mA
–1
0.8
–2.0
–15mA
–1.5
–1.0
–0.5
–10mA
–5mA
T
C
=100˚C
–0.1
0.4
25˚C
–25˚C
0
0
40
80
120
160
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–0.01
–0.01
–0.1
–1
环境温度T
a
(
°C
)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
BE ( SAT )
I
C
基射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
I
C
/I
B
=10
h
FE
I
C
240
V
CE
=–5V
f
T
I
E
V
CB
=–5V
f=200MHz
T
C
=25˚C
–10
1000
正向电流传输比H
FE
T
C
=100˚C
25˚C
过渡频率f
T
(兆赫)
200
160
–1
T
C
=–25˚C
100˚C
25˚C
100
–25˚C
120
–0.1
10
80
40
–0.01
–0.01
–0.1
–1
1
–0.01
–0.1
–1
0
0.01
0.1
1
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
发射极电流I
E
(A)
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
–60
V
CER
R
BE
1000
T
C
=25˚C
I
首席执行官
T
a
V
CE
=–12V
140
120
100
80
60
40
20
0
–1
集电极 - 发射极电压
(V)
( B和E之间的电阻)V
CER
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25˚C
–50
–30
I
首席执行官
(T
a
)
I
首席执行官
(T
a
=
25°C)
–40
100
–20
10
–10
–10
–100
0
0.001
1
0.01
0.1
1
10
0
20
40
60
80
100
120
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
基极 - 发射极电阻R
BE
(kΩ)
环境温度T
a
(°C)
2
SJD00003BED