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    2SA886 参数 Datasheet PDF下载

    2SA886图片预览
    型号： 2SA886
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅外延平面型（对于低频功率放大互补） [Silicon PNP epitaxial planar type (For low-frequency power amplification Complementary)]
    分类和应用： 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
    文件页数/大小： 5 页 / 99 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SA886的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA886的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SA886的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SA886的Datasheet PDF文件第5页  
    功率晶体管
    2SA0886
    (2SA886)
    PNP硅外延平面型
    对于低频功率放大
    补充2SC1847
    φ
    3.16
    ±0.1
    3.8
    ±0.3
    单位：mm
    8.0
    +0.5
    –0.1
    3.2
    ±0.2
    ■
    绝对最大额定值
    T
    a
    =
    25°C
    参数
    集电极 - 基极电压（发射极开路）
    集电极 - 发射极电压（基本开）
    发射极 - 基极电压（集电极开路）
    集电极电流
    峰值集电极电流
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    等级
    −50
    −40
    −5
    −1.5
    −3
    1.2
    150
    −55
    to
    +150
    单位
    V
    4.6
    ±0.2
    0.75
    ±0.1
    0.5
    ±0.1
    0.5
    ±0.1
    2.3
    ±0.2
    3
    1.76
    ±0.1
    V
    V
    A
    A
    W
    °C
    °C
    1
    2
    ■
    电气特性
    T
    a
    =
    25°C
    ±
    3°C
    参数
    集电极 - 基极电压（发射极开路）
    集电极 - 发射极电压（基本开）
    集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
    集电极 - 发射极截止电流（基地开）
    发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
    正向电流传输比
    *
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    （共同的基础，输入开路）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    条件
    I
    C
    =
    −1
    妈，我
    E
    = 0
    I
    C
    =
    −2
    妈，我
    B
    = 0
    V
    CB
    = −20
    V，I
    E
    =
    0
    V
    CE
    = −10
    V，I
    B
    =
    0
    V
    EB
    = −5
    V，I
    C
    =
    0
    V
    CE
    = −5
    V，I
    C
    = −1
    A
    I
    C
    = −1.5
    A，I
    B
    = −
    0.15 A
    I
    C
    = −2
    A，I
    B
    = −
    0.2 A
    V
    CB
    = −5
    V，I
    E
    =
    0.5 A，F
    =
    200兆赫
    V
    CB
    =
    −20
    V，I
    E
    = 0中，f = 1 MHz的
    150
    45
    80
    民
    −50
    −40
    −1
    −100
    −10
    220
    −1.0
    −1.5
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    µA
    µA
    µA
    V
    V
    兆赫
    pF
    注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
    2. * ：等级分类
    秩
    h
    FE1
    Q
    80至160
    R
    120至220
    注）括号内显示常规零件号的零件号。
    出版日期： 2003年2月
    SJD00003BED
    16.0
    ±1.0
    •
    可以通过互补配对而获得的4 W输出
    2SC1847
    •
    TO- 126B封装，无需保温板功能的安装
    灰到散热器
    1.9
    ±0.1
    1 ：发射器
    2 ：收藏家
    3 ：基本
    TO- 126B -A1套餐
    3.05
    ±0.1
    ■
    特点
    11.0
    ±0.5
    1

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