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2SA1982 参数 Datasheet PDF下载

2SA1982图片预览
型号: 2SA1982
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: PNP硅外延平面型 [Silicon PNP epitaxial planer type]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 40 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2SA1982的Datasheet PDF文件第1页  
晶体管
P
C
- TA
2.0
–90
印刷circut板:铜
为1cm箔领域
2
或更多,并且
的1.7毫米板厚度
对于集电部。
Ta=25˚C
–75
2SA1982
I
C
— V
CE
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
–10
–3
–1
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
V
CE ( SAT )
— I
C
I
C
/I
B
=10
集电极耗散功率P
C
(W)
集电极电流I
C
(MA )
1.6
–60
- 0.6毫安
- 0.5毫安
= 0.9毫安
- 0.8毫安
- 0.7毫安
I
B
=–1.0mA
1.2
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
–45
= 0.4毫安
= 0.3毫安
= 0.2毫安
0.8
–30
= 0.1毫安
–15
0.4
– 0.003
– 0.001
–1
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
环境温度Ta (C )
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
h
FE
— I
C
300
6
C
ob
— V
CB
集电极输出电容C
ob
(PF )
V
CE
=–5V
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25˚C
正向电流传输比H
FE
250
Ta=75˚C
200
25˚C
5
4
150
–25˚C
3
100
2
50
1
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
0
–1
–3
–10
–30
–100
集电极电流I
C
(MA )
集电极基极电压V
CB
(V)
2