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    2SA1982 参数 Datasheet PDF下载

    2SA1982图片预览
    型号： 2SA1982
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅外延平面型 [Silicon PNP epitaxial planer type]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 2 页 / 40 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SA1982的Datasheet PDF文件第2页  
    晶体管
    2SA1982
    PNP硅外延平面型
    对于低频高击穿电压的放大
    补充2SC5346
    6.9±0.1
    0.15
    单位：mm
    1.05 2.5±0.1
    ±0.05
    (1.45)
    0.8
    0.5
    4.5±0.1
    0.45
    –0.05
    0.7
    4.0
    s
    特点
    q
    q
    q
    q
    满意盼着电流传输比H
    FE
    集电极电流I
    C
    的特点。
    高集电极到发射极电压V
    首席执行官
    .
    小集电极输出电容C
    ob
    .
    构成了一个互补对与2SC2631 ，这进行了优
    MUM为20〜 40W的输出放大器的前置驱动器级。
    (Ta=25˚C)
    评级
    –150
    –150
    –5
    –100
    –50
    1
    150
    –55~+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mA
    W
    ˚C
    ˚C
    0.65最大。
    1.0 1.0
    0.2
    0.45
    –0.05
    +0.1
    +0.1
    2.5±0.5
    2.5±0.5
    2
    3
    s
    绝对最大额定值
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    峰值集电极电流
    集电极电流
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    *
    1
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CP
    I
    C
    P
    C*
    T
    j
    T
    英镑
    注意：除了
    所示引线型
    上图所示，
    在如图所示键入
    下图是
    也可提供。
    1 ：发射器
    2 ：收藏家
    3 ：基本
    MT2类型封装
    1.2±0.1
    0.65
    马克斯。
    0.45
    +0.1
    – 0.05
    印刷电路板：为1cm铜箔区
    2
    以上，板
    厚度1.7毫米的集电极部
    2.5±0.1
    （ HW型）
    s
    电气特性
    参数
    收藏家Cuto FF电流
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    正向电流传输比
    集电极到发射极饱和电压
    噪声电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    (Ta=25˚C)
    符号
    I
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    h
    FE*1
    V
    CE （ SAT ）
    NV
    f
    T
    C
    ob
    条件
    V
    CB
    = -100V ，我
    E
    = 0
    I
    C
    = -0.1mA ，我
    B
    = 0
    I
    E
    = -10μA ，我
    C
    = 0
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    = -10mA
    I
    C
    = -30mA ，我
    B
    = -3mA
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    = -1mA ，G
    V
    = 80分贝
    R
    g
    = 100kΩ的，功能= FLAT
    V
    CB
    = -10V ，我
    E
    = 10毫安中，f = 200MHz的
    V
    CB
    = -10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    150
    200
    5
    –150
    –5
    130
    330
    –1
    300
    V
    mV
    兆赫
    pF
    民
    典型值
    最大
    –1
    单位
    µA
    V
    V
    *1
    h
    FE
    等级分类
    R
    130 ~ 220
    S
    185 ~ 330
    秩
    h
    FE
    14.5±0.5
    1

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